近日，世紀金芯半導(dǎo)體有限公司成功通過了“年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化單晶襯底”項目的立項審批，這標(biāo)志著該項目正式在包頭市落地。

該項目的總投資約為35.47億元，由包頭（北京）人才科創(chuàng)基地引進，并選址在青山區(qū)進行建設(shè)。項目將分兩期進行，一期計劃于今年4月開工，年內(nèi)預(yù)計投資約6.9億元，預(yù)計將提供就業(yè)機會給550人；二期項目計劃于2025年4月開工，投資約28.57億元。兩期項目全部達產(chǎn)后，年均產(chǎn)值預(yù)計約為35億元，利稅約為8.75億元。

這個項目由世紀金芯全資子公司宇海電子材料科技（內(nèi)蒙古）有限公司負責(zé)建設(shè)，項目占地270畝，總建筑面積約為12萬平方米。項目包括碳化硅長晶爐、切磨拋加工以及測試等相關(guān)設(shè)備設(shè)施?？偨ㄔO(shè)周期為三年，計劃建設(shè)年限為2024年04月至2027年04月，預(yù)計2024年底一期項目將正式投產(chǎn)。該項目已于2023年10月10日簽約，2023年12月13日備案。

近年來，世紀金芯一直在加大碳化硅研發(fā)力度和項目布局，不斷鞏固研發(fā)生產(chǎn)優(yōu)勢。公司的產(chǎn)品范圍包括6英寸和8英寸的SiC襯底片，以及其他第三代半導(dǎo)體材料的研究和布局。除了上述新增項目外，2022年9月9日，世紀金芯的年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目在合肥正式投產(chǎn)，6英寸晶體的良率達到了92%以上，產(chǎn)品的綜合良率達到了65%左右。襯底片外延后至下游芯片流片的結(jié)果統(tǒng)計顯示，SBD產(chǎn)品的綜合良率達到95%以上，MOSFET產(chǎn)品的綜合良率達到了88%。此外，8英寸單晶的研發(fā)也取得了良好進展，已經(jīng)進入了送樣驗證階段，各項產(chǎn)品指標(biāo)均處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

合肥世紀金芯的6英寸碳化硅襯底片已經(jīng)與國內(nèi)幾家頭部外延及晶圓廠商達成了訂單合作。與HT、ZDK某單位已經(jīng)完成了多批次樣品驗證，同時還正在與臺灣的HY、JJ，韓國的GJ實驗室以及SX進行產(chǎn)品驗證合作，與日本的FG等單位進行8英寸襯底片的產(chǎn)品驗證。