半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:2022年9月9日,合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在合肥市高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園隆重舉行,該項(xiàng)目的順利投產(chǎn),標(biāo)志著公司產(chǎn)業(yè)鏈源頭自主可控能力升級,公司產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程邁入新篇章。目前,世紀(jì)金芯碳化硅單晶襯底產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)對下游客戶批量交付。
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在現(xiàn)場嘉賓與媒體記者的共同見證下,合肥市委常委袁飛,合肥市人民政府副秘書長汪華余,合肥市投資促進(jìn)局局長吳文利,高新區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任呂長富,合肥市產(chǎn)投集團(tuán)董事長雍鳳山,世紀(jì)金光董事長李百泉,中芯聚源合伙人兼總經(jīng)理孫玉望,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙靜,江汽集團(tuán)新能源總經(jīng)理夏順禮共同上臺為投產(chǎn)啟動(dòng)儀式摁下啟動(dòng)鍵,點(diǎn)亮生產(chǎn)線啟動(dòng)臺。這一儀式的成功舉行,標(biāo)志著合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目正式投產(chǎn)。
在投產(chǎn)儀式上,世紀(jì)金光董事長李百泉表示,該項(xiàng)目的順利投產(chǎn)預(yù)示著世紀(jì)金芯全產(chǎn)業(yè)鏈的成功啟航,未來“世紀(jì)金芯”將繼續(xù)與合肥攜手合作,在碳化硅領(lǐng)域深耕細(xì)作,在保持自身持續(xù)發(fā)展的同時(shí),承擔(dān)更多的社會(huì)責(zé)任,為國家、為股東創(chuàng)造更大的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益!
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙靜在儀式上對世紀(jì)金芯6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目成功投產(chǎn)表示熱烈祝賀,并衷心希望第三代半導(dǎo)體在合肥這片獨(dú)具特色的創(chuàng)新熱土上,走出一條獨(dú)具特色的產(chǎn)業(yè)生態(tài)之路。第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟也將進(jìn)一步以市場為牽引,以世紀(jì)金芯等骨干企業(yè)為依托,持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新和集群化發(fā)展。
合肥市高新區(qū)黨工委委員、管委會(huì)副主任呂長富表示,合肥世紀(jì)金芯是國內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體企業(yè),是高新區(qū)重點(diǎn)引進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè),高新區(qū)將堅(jiān)定不移地做好項(xiàng)目服務(wù)和支持工作,為世紀(jì)金芯的發(fā)展壯大保駕護(hù)航,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的營商環(huán)境。
該項(xiàng)目是世紀(jì)金光聯(lián)合合肥市、高新區(qū)、合肥產(chǎn)投集團(tuán)共同打造碳化硅功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的一期項(xiàng)目,是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)之一,該項(xiàng)目的順利投產(chǎn),可有效緩解國內(nèi)大直徑導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底供應(yīng)緊缺的局面,對于下游芯片降低成本將起到積極作用,對提升碳化硅產(chǎn)業(yè)上下游廠商的綜合競爭能力有很大的促進(jìn)意義。該項(xiàng)目總投資4.05億元,占地面積7200平方米,歷時(shí)11個(gè)月實(shí)現(xiàn)由工程建設(shè)進(jìn)入生產(chǎn)運(yùn)營,充分彰顯了“合肥決心”、“金芯速度”。該項(xiàng)目的投產(chǎn)是公司發(fā)展道路上的又一個(gè)里程碑,對合肥發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)將起到一定的推動(dòng)作用,也是合肥市政府聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)布局上取得的又一重大成果。
該項(xiàng)目以能源行業(yè)急需的新型功率半導(dǎo)體器件為背景,通過研究和分析碳化硅單晶襯底中各種缺陷的形成、發(fā)展、分布規(guī)律以及它們之間的相互作用機(jī)理,解決了影響單晶質(zhì)量的原料提純與制備、單晶生長、單晶襯底加工等關(guān)鍵技術(shù)問題,開辟能夠有效降低大尺寸單晶關(guān)鍵缺陷密度并提高單晶質(zhì)量的新途徑,為國內(nèi)新型電力電子材料與器件的市場化應(yīng)用起到引領(lǐng)示范帶動(dòng)作用。