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山東大學(xué)教授、南砂晶
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山東大學(xué)教授、南砂晶
碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
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IFWS2025-01-09 15:03
浙江大學(xué)教授皮孝東：
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浙江大學(xué)教授皮孝東：
提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學(xué)教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University
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IFWS2025-01-09 15:00
韓國(guó)東義大學(xué)教授Won-
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韓國(guó)東義大學(xué)教授Won-
SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長(zhǎng)工藝條件的改進(jìn)SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國(guó)東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.
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IFWS2025-01-09 14:55
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國(guó)強(qiáng)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料
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中電科四十六所新材料
氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
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IFWS2025-01-09 14:21
山東大學(xué)副教授穆文祥
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山東大學(xué)副教授穆文祥
-Ga2O3單晶的體晶生長(zhǎng)與性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山東大學(xué)副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University
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guansheng2023-05-19 14:44
納維科技總經(jīng)理王建峰
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納維科技總經(jīng)理王建峰
應(yīng)用于垂直器件的高電導(dǎo)率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
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guansheng2023-05-18 16:16
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
常見(jiàn)的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
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guansheng2022-09-09 15:53
山東大學(xué)賈志泰：大尺
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山東大學(xué)賈志泰：大尺
大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽(yáng)，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:18
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)》徐現(xiàn)剛教授山東大學(xué)
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長(zhǎng)研究》徐科研究員中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:58
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長(zhǎng)機(jī)理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
18300
limit2022-01-06 11:07
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
王艷豐：大面積單晶金
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王艷豐：大面積單晶金
《大面積單晶金剛石及場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究》作者：王艷豐，王瑋，常曉慧，張曉凡，朱天飛，劉璋成，陳根強(qiáng)，王宏興單位：西安交通大學(xué)教育部物理電子器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安交通大學(xué)電子與信息學(xué)部寬禁帶半導(dǎo)體與量子器件研究所
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limit2022-01-06 10:24
黃洪：單晶氧化鎵深紫
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黃洪：單晶氧化鎵深紫
《單晶氧化鎵深紫外探測(cè)器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，山東大學(xué)
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limit2022-01-05 17:38
皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
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皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長(zhǎng)和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-05 17:02
【視頻報(bào)告 2019】奧
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【視頻報(bào)告 2019】奧
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來(lái)挑戰(zhàn)》。
86000
limit2021-04-29 11:04

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