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《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報告正式立項

大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

南京大學(xué) | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

芯片上的突破！清華制成世界上柵極長度最小晶體管

天津大學(xué)馬凱學(xué)團(tuán)隊在5G/6G毫米波技術(shù)取得新進(jìn)展

上海有機所在阻轉(zhuǎn)異構(gòu)類有機半導(dǎo)體材料與器件研究中取得進(jìn)展

國家納米科學(xué)中心在自旋分子存儲器方面取得新進(jìn)展

蘇州醫(yī)工所董建飛課題組在數(shù)據(jù)驅(qū)動的學(xué)習(xí)控制方面取得研究進(jìn)展

南科大潘權(quán)團(tuán)隊在高速通信芯片設(shè)計領(lǐng)域取得系列新成果

上海光機所提出可見激光材料暗化問題解決新方案

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進(jìn)展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

清華大學(xué)團(tuán)隊首次實現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管

瀾起科技：整個DDR5相關(guān)芯片價值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實現(xiàn)量子存儲器增強的非局域圖態(tài)制備

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在自供能多色顯示研究方面取得進(jìn)展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運機制

基于SiC逆變器的電動汽車永磁同步電機控制系統(tǒng)研究

SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

中國科大潘建偉院士團(tuán)隊等與海外團(tuán)隊合作《Science》發(fā)文報道首次觀測到費米超流中的熵波臨界發(fā)散

中科院蘇州納米所團(tuán)隊在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機理研究獲新進(jìn)展

碳化硅激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化中電科二所取得突破性進(jìn)展

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