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科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級(jí)薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

氮化鎵外延層中位錯(cuò)輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

科研新進(jìn)展 | 廈大周偉教授團(tuán)隊(duì)在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進(jìn)展

北大電子學(xué)院王興軍、舒浩文團(tuán)隊(duì)在超高速光互連領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

長(zhǎng)春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動(dòng)力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)王欣然教授團(tuán)隊(duì)Nature Materials：實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體堆垛調(diào)控新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在低維半導(dǎo)體偏振光探測(cè)方面取得系列進(jìn)展

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測(cè)方面取得系列進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子所團(tuán)隊(duì)在高速串行接口芯片方面取得新進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

總投資4億元爭(zhēng)豐半導(dǎo)體“新建研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備項(xiàng)目”取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

中科院蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)與合作者在氮化鎵紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

年底通線！株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

總投資16.8億福建晶旭半導(dǎo)體“濾波器芯片生產(chǎn)”項(xiàng)目迎新進(jìn)展

浙江12英寸CMOS二期項(xiàng)目建設(shè)迎新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

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