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高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University

AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學教授ZHOUHongProfessor at Xidian University

雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University

SiC等離子體波脈沖功率器件與應用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂嘉西安電子科技大學副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University

MPCVD法金剛石同質外延生長及MOS器件技術Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風西安電子科技大學教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University

氧化鎵異質結功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授（團隊代講）

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

極智報告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強 ：電動汽車充電技術發(fā)展及SiC應用。更多專業(yè)學術報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費看！

西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現(xiàn)了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現(xiàn)及給應用帶來的優(yōu)勢