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張皇澍：A quantitati
2000
張皇澍：A quantitati
A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟達(dá)，張皇澍，楊志堅，吳潔君，于彤軍單位：北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心
20000
limit2022-01-06 10:53
王宏躍：Investigatio
260
王宏躍：Investigatio
Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration作者：王宏躍，許實清，周斌，施宜軍，付志偉，陳思，路國光，黃云，王金延單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所，北京大學(xué)
2600
limit2022-01-06 10:51
胡安琪：高靈敏石墨烯
700
胡安琪：高靈敏石墨烯
《高靈敏石墨烯氮化鎵探測器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)
7000
limit2022-01-06 10:46
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
1750
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)微電子與集成電路系微納光電子研究室
17500
limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
630
孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測器研究進(jìn)展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
6300
limit2022-01-06 10:30
席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
1260
席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學(xué)
12600
limit2022-01-06 10:10
Xu Li：High valley p
1790
Xu Li：High valley p
High valley polarization in monolayer WS2 on AlGaNAuthor：Xu Li，Xinlong Zeng，Zhiming Wu，Yaping Wu，Junyong KangInstitute：Department of Physics, Xiamen University
17900
limit2022-01-05 17:45
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
4470
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
44700
limit2022-01-05 16:58
劉婷：Suppression of
780
劉婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院
7800
limit2022-01-05 16:56
化夢媛：常關(guān)型 GaN P
2060
化夢媛：常關(guān)型 GaN P
《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
20600
limit2022-01-05 16:54
朱廣潤：微波毫米波器
2330
朱廣潤：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進(jìn)展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
23300
limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
2570
劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
25700
limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應(yīng)用
2530
馬曉華：面向終端應(yīng)用
《面向終端應(yīng)用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學(xué)
25300
limit2022-01-05 16:45
Maocheng Shan：Trans
700
Maocheng Shan：Trans
Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells with weak exciton localizationAuthor：Maocheng Shan, Yi Zhang, Xiaohang Li, Changqing ChenInstitute：Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
7000
limit2022-01-05 16:16
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
1170
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
11700
limit2022-01-05 16:06
劉建平：大功率氮化鎵
3930
劉建平：大功率氮化鎵
《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
39300
limit2022-01-05 15:57
云峰：Lasing charact
870
云峰：Lasing charact
Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞鋒）, Qiang Li（李強）,Ye Zhang(張燁)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
8700
limit2022-01-05 15:49
孫錢：硅襯底GaN基激
3810
孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
38100
limit2022-01-05 15:36
趙德剛：GaN材料碳雜
1840
趙德剛：GaN材料碳雜
《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國科學(xué)院大學(xué)
18400
limit2022-01-05 15:33
呂澤升：High Perform
520
呂澤升：High Perform
High Performance InGaN/GaN Visible-light Photodetectors using Polarization-induced p-type Doping作者：呂澤升，郭瑤，寥鐘
5200
limit2022-01-05 13:26

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