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《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰 廈門大學(xué)講座教授 國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)

《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國家光電材料與技術(shù)國家重點實驗室

《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系

《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張源濤單位：吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室

《半導(dǎo)體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產(chǎn)化》作者：汪洋，萬強(qiáng)單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設(shè)計與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國人民解放軍空軍工程大學(xué)

Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut