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隨著固體照明技術(shù)的發(fā)展，可見(jiàn)光通信（VLC）近年來(lái)受到了廣泛的關(guān)注。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所馬占紅做了題為適用于可見(jiàn)光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析的報(bào)告，分享了制備帶寬高達(dá)1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。與傳統(tǒng)的射頻無(wú)線通信相比，VLC具有保密性高，無(wú)電磁干擾和無(wú)頻譜限制等優(yōu)點(diǎn)。它也被認(rèn)為是未來(lái)無(wú)線通信的潛在接入選擇。近年來(lái)，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問(wèn)題，在自然能源不斷減少，價(jià)格不斷上升的背景下，我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來(lái)利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢(shì)的地方。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報(bào)告；他介紹說(shuō)，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們?cè)谑┥蟻?lái)進(jìn)行一個(gè)類似納米柱上的生長(zhǎng)，做了一些研究，通過(guò)調(diào)整晶核生長(zhǎng)得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長(zhǎng)出來(lái)一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧?，石墨烯生長(zhǎng)會(huì)受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會(huì)有一定的紊亂，加氮受到襯底的

該視頻為：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。