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株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；

美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時(shí)控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了

電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的報(bào)告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)》。

報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng) 《功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)分析》

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

作為基礎(chǔ)材料，熒光粉的技術(shù)水平與半導(dǎo)體照明發(fā)展密切相關(guān)，有研稀土新材料股份有限公司副總經(jīng)理、教授級(jí)高級(jí)工程師劉榮輝分享了大功率照明用熒光材料研發(fā)進(jìn)展。 當(dāng)前，LED照明光源呈現(xiàn)出朝著大電流密度、高光效方向發(fā)展，第三代半導(dǎo)體照明向著高能、短波特性方向發(fā)展等趨勢(shì)，現(xiàn)有大功率照明存在著結(jié)溫高、散熱量大，結(jié)溫高降低產(chǎn)品使用壽命，溫度高熒光粉量子效率降低，溫度高硅膠熱應(yīng)力增大、折射率降低等問題，可以通過熒光粉料

芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)分析

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動(dòng)芯片》研究報(bào)告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線圖的精彩報(bào)告，介紹了寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報(bào)告|株洲中車時(shí)代電動(dòng)汽車股份有限公司副總經(jīng)理劉國(guó)友：新能源汽車用功率器件解決方案報(bào)告。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！

北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)阿實(shí)驗(yàn)室教授郭偉玲分享了光功率計(jì)算對(duì)LED熱阻測(cè)試的影響主題報(bào)告。她表示，熱阻是衡量LED性能的重要參數(shù)，在LED熱阻測(cè)試中，其電能不僅轉(zhuǎn)化成熱能，還有20%或更多的能量轉(zhuǎn)化為光能。而目前大部分的熱阻測(cè)試儀并非專門為測(cè)試LED設(shè)計(jì)，且對(duì)是否計(jì)算光耗散功率的標(biāo)準(zhǔn)并不統(tǒng)一。　　通過標(biāo)準(zhǔn)電學(xué)參數(shù)法分別對(duì)不同封裝（仿流明，SMD2835，XB-D封裝）相同輸出功率（1W）的正裝LED；相同封裝（S