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今天極智課堂邀請(qǐng)到中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說(shuō)起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報(bào)告

極智報(bào)告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報(bào)告。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告任性看！

科銳中國(guó)市場(chǎng)推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術(shù)發(fā)展”報(bào)告。 科銳作為全球大功率的整個(gè)國(guó)際上的領(lǐng)先者，其技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。會(huì)上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場(chǎng)具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)家相關(guān)政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，大功率LED器件技術(shù)也在不斷變革、細(xì)化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學(xué)均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來(lái)更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領(lǐng)域又有重大突破，推出革新性的NX技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)將為新一代照明級(jí)LED的創(chuàng)新發(fā)展，

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對(duì)公司生產(chǎn)的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)”報(bào)告，報(bào)告指出康美特目前所具備的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質(zhì)量控制方面的優(yōu)勢(shì)。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

華普永明（股票代碼：833888）致力于成為全球戶外大功率LED照明行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專注于為客戶提供大功率LED燈具的設(shè)計(jì)和制造的一站式服務(wù)。2018年6月9-12日，華普永明攜新品重裝亮相光亞展，期間華普永明董事長(zhǎng)陳凱接受極智頭條訪問(wèn)，解讀華普永明在產(chǎn)業(yè)環(huán)境不太樂(lè)觀的情形下，華普永明逆勢(shì)增長(zhǎng)的秘密，解析LED戶外大功率產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。更多精彩觀點(diǎn)，請(qǐng)點(diǎn)擊瀏覽視頻！

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評(píng)價(jià)的報(bào)告，結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測(cè)試、以及利用MPCVD設(shè)備來(lái)進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來(lái)制作金剛石射頻器件等研究成果。

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報(bào)告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計(jì)為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“泰科天潤(rùn)”）是中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。 作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)目前在北京已建成國(guó)內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 泰科天潤(rùn)的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來(lái)“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示，功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì)，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來(lái)了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”研究報(bào)告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì)，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...