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  • 北京大學理學部副主任
    基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學理學部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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    IFWS2025-01-09 15:42
  • 中國科學院院士楊德仁
    半導體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)Status and Challenge of Semiconductor Material Industry楊德仁中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授YANG DerenAcademician of Chinese Academy of Sciences,President of NingboTech University, Professor and Director of State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, Zhejiang University
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    IFWS2025-01-09 15:31
  • 日本NTT基礎(chǔ)研究實驗
    氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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    IFWS2025-01-09 14:25
  • 艾姆希半導體銷售總監(jiān)
    第四代半導體材料平坦化研究進展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強北京艾姆希半導體科技有限公司銷售總監(jiān)ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.
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    IFWS2025-01-09 14:07
  • 山東大學新一代半導體
    電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
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    guansheng2023-05-22 15:20
  • 東南大學下一代半導體
    全色顯示材料與3D芯片集成技術(shù)Integrated technology of panchromatic display materials and 3D chips范謙東南大學下一代半導體材料研究所研究員
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    guansheng2023-05-22 14:10
  • 中山大學佛山研究院院
    新型寬禁帶壓電半導體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學佛山研究院院長,中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor
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    guansheng2023-05-19 14:17
  • 中科院合肥物質(zhì)科學研
    一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰,韓運成*,王曉彧,何厚軍,任雷,李桃生中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院中國科學技術(shù)大學湖北科技學院
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    guansheng2022-09-01 16:11
  • 黃豐:寬禁帶半導體材
    《寬禁帶半導體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者:黃豐單位:中山大學材料學院
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    limit2022-01-05 11:13
  • 【視頻報告 2019】中
    報告嘉賓:中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報告:《銻化物半導體材料及器件》
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    limit2021-04-29 10:24
  • 【極智課堂】西安電子
    西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說,金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,耐擊穿,載流子遷移率高,熱導率極高,抗輻照等優(yōu)點。在熱沉,大功率、高頻器件,光學窗口,量子信息等領(lǐng)域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示,實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
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    limit2020-02-01 16:23
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