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2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇盛大召開

極智報告|浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況分享《第三代半導(dǎo)體支撐交通強(qiáng)國建設(shè)》主題報告。請您點擊頁面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學(xué)術(shù)報告免費看！

極智報告：特邀國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院院長郝建群分享《半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃與LED智慧照明發(fā)展》主題報告。

本期嘉賓無錫邑文電子科技有限公司總經(jīng)理廖海濤為大家?guī)怼栋雽?dǎo)體裝備主題報告（一）半導(dǎo)體二手裝備市場評估與翻新標(biāo)準(zhǔn)化》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務(wù)院副總理李克強(qiáng)到中國科學(xué)院半導(dǎo)體所考察。了解半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)成立于2004年10月，是國家半導(dǎo)體照明工程唯一的網(wǎng)上信息門戶。網(wǎng)站自創(chuàng)建以來，一直以服務(wù)產(chǎn)業(yè)、引領(lǐng)行業(yè)、傳遞聲音的為自己的使命，伴隨著行業(yè)企業(yè)、LED人的成長，見證了整個中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的成長歷程。在國家半導(dǎo)體照明工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室指導(dǎo)和成員單位的大力支持下，經(jīng)過十幾年的發(fā)展，中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)已成為行業(yè)最權(quán)威的綜合性服務(wù)平臺。 China Solid State Lighting (www.china-led.net), established in October 2004,

唐國慶：半導(dǎo)體照明發(fā)展空間很大，企業(yè)要憑自身勢力贏得競爭

國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟主席、科技部原副部長曹健林首先帶來了題為“不忘初心，砥礪奮進(jìn)，擁抱第三代半導(dǎo)體新時代”的重要報告，高屋建瓴，從全球視角分析了當(dāng)前第三代半導(dǎo)體發(fā)展的時代背景，面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，為我們展現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體當(dāng)前的發(fā)展?fàn)顩r以及前沿趨勢信息。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報告任性看！

對話主題：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與交通融合發(fā)展 對話嘉賓（從左往右順序）：精進(jìn)電動科技股份有限公司創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官蔡蔚、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心籌備組組長原誠寅、科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司原司長趙玉海、軌道交通控制與安全國家重點實驗室首席教授賈利民、國家高速列車技術(shù)創(chuàng)新中心主任劉保明、中車長春軌道客車股份有限公司副總工程師常振臣。 更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報告免費看，任性看！

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長與器件應(yīng)用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術(shù)上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場景是照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的應(yīng)用場景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進(jìn)行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

該視頻為：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報告。

先普半導(dǎo)體技術(shù)(上海)有限公司是經(jīng)上海市認(rèn)定的外資高新技術(shù)企業(yè)。公司引進(jìn)國際先進(jìn)的純化技術(shù)和設(shè)計生產(chǎn)理念，研發(fā)和生產(chǎn)各類終端氣體純化器與寬廣流量范圍的氣體純化設(shè)備。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子，光電，光纖，光伏，化工，醫(yī)藥等領(lǐng)域。 公司自2004年成立以來，在充分掌握國際先進(jìn)氣體純化核心技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過不斷的研究創(chuàng)新，自主開發(fā)了十幾個系列上百種產(chǎn)品，純度可提供9N、7N兩種級別，其中壓力范圍從1.0MPa的常壓到24MPa的高壓，流量范圍從幾百毫升每分鐘到上萬立方米每小時。 先普的氣體純化產(chǎn)品既可以為晶體生長

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司為中國國內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經(jīng)營范圍包括設(shè)計、研發(fā)及產(chǎn)銷：半導(dǎo)體材料、器件、生產(chǎn)設(shè)備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括：GaN半導(dǎo)體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復(fù)合襯底，圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）；生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備，如激光剝離設(shè)備等。并對相應(yīng)技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，使企業(yè)在國內(nèi)國際競爭中處于一個優(yōu)勢位置。