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  • 方志來：P型氮摻雜β-
    《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
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    limit2022-01-05 17:41
  • 龍世兵：超寬禁帶氧化
    《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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    limit2022-01-05 17:12
  • 袁昊：萬伏級4H-SiC基
    《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國人民解放軍空軍工程大學(xué)
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    limit2022-01-05 17:00
  • 陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
    《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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    limit2022-01-05 16:58
  • 朱廣潤：微波毫米波器
    《GaN微波毫米波器件新進(jìn)展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
    23300
    limit2022-01-05 16:51
  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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    limit2022-01-05 16:49
  • 劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
    《量子點(diǎn)/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
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    limit2022-01-05 11:31
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
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    limit2022-01-05 09:53
  • 視頻報(bào)告 2017---功率
    美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動(dòng)態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
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    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。
    66700
    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報(bào)告。他介紹說，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術(shù)。
    147800
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺
    【極智報(bào)告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】國
    佛山市國星光電股份有限公司電研發(fā)中心副主任兼白光器件事業(yè)部副總經(jīng)理謝志國在《LED健康照明器件的技術(shù)研究及產(chǎn)品應(yīng)用》報(bào)告中
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    limit2021-04-29 12:09
  • 【視頻報(bào)告 2018】AIX
    一直以來，高功率密度電動(dòng)汽車電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新一代大功率電動(dòng)汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對新一代電動(dòng)汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報(bào)告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。
    134600
    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報(bào)告 2018】電
    電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的報(bào)告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報(bào)告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
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