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重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應(yīng)用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

從器件突破到平臺賦能，國創(chuàng)中心構(gòu)筑產(chǎn)業(yè)協(xié)同“芯”生態(tài)

銀河微電擬3.1億擴產(chǎn)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化項目

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產(chǎn)化替代

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入

斯達半導擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

縱慧芯光完成數(shù)億元戰(zhàn)略輪融資，系國產(chǎn)VCSEL器件供應(yīng)商

西交利物浦大學劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學學位）

斯達半導體車規(guī)級功率器件全球制造總部項目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團隊首次在功率器件領(lǐng)域國際頂級學術(shù)會議發(fā)表論文

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

輝宏激光完成千萬級的融資，系國產(chǎn)高功率超快激光器的整機系統(tǒng)和核心器件廠商

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領(lǐng)域取得突破性進展

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

勝天光電半導體光電器件封裝項目正式摘牌

京東方第6代新型半導體顯示器件生產(chǎn)線全面量產(chǎn)

CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD2025）在南京盛大召開

新微半導體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導體器件與集成電路會議并發(fā)表主旨演講

北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

開幕在即 | 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

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