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西安電子科技大學(xué)副校
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西安電子科技大學(xué)副校
高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進(jìn)成西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University
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IFWS2025-01-09 15:50
北京大學(xué)理學(xué)部副主任
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS2025-01-09 15:42
美國(guó) PowerAmerica 執(zhí)
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美國(guó) PowerAmerica 執(zhí)
加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國(guó)PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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IFWS2025-01-09 15:39
材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研
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材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研
基于納米壓印全生態(tài)產(chǎn)業(yè)平臺(tái)的微納光學(xué)器件制造Manufacturing of Micro and Nano Optical Devices Based on Nanoimprint Eco-industrial Platform羅剛材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研究員、蘇州新維度微納科技有限公司創(chuàng)始人LUO GangProfessor of Gusu Lab, Founderof NDnano
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SSLCHINA2025-01-09 15:17
北方華創(chuàng)張軼銘：面向
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北方華創(chuàng)張軼銘：面向
面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd
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IFWS2025-01-09 15:05
西安電子科技大學(xué)教授
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西安電子科技大學(xué)教授
AlN基高壓高頻功率器件研究進(jìn)展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學(xué)教授ZHOUHongProfessor at Xidian University
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IFWS2025-01-09 14:43
日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
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日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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IFWS2025-01-09 14:25
思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
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思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:20
中車科學(xué)家劉國(guó)友：軌
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中車科學(xué)家劉國(guó)友：軌
軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展劉國(guó)友株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司中車科學(xué)家、功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
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IFWS2025-01-09 14:12
弗吉尼亞理工大學(xué)電力
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弗吉尼亞理工大學(xué)電力
面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件Ga2O3Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices張宇昊弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授ZHAGN YuhaoAssociate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech
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IFWS2025-01-09 14:06
南京大學(xué)教授葉建東:
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南京大學(xué)教授葉建東:
氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學(xué)教授YE JiandongProfessor of Nanjing University
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IFWS2025-01-09 14:01
哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳
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哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳
氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）教授，理學(xué)院副院長(zhǎng)SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen
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IFWS2025-01-09 13:56
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
5530
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
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IFWS2025-01-09 13:53
復(fù)旦大學(xué)教授黃偉：寬
9210
復(fù)旦大學(xué)教授黃偉：寬
寬帶GaN毫米波新器件研究Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices黃偉復(fù)旦大學(xué)教授HUANG WeiProfessor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 15:16
國(guó)博電子副總經(jīng)理錢峰
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國(guó)博電子副總經(jīng)理錢峰
5G移動(dòng)通信用化合物器件研究Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication錢峰南京國(guó)博電子股份有限公司副總經(jīng)理QIAN FengDeputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 15:15
電子科技大學(xué)博士陳匡
7990
電子科技大學(xué)博士陳匡
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機(jī)理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學(xué)博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
79900
guansheng2023-05-22 15:02
美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)
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美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
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guansheng2023-05-22 15:01
潤(rùn)新微電子副總經(jīng)理王
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潤(rùn)新微電子副總經(jīng)理王
后快充時(shí)代的氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤(rùn)新微電子（大連）有限公司副總經(jīng)理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
65600
guansheng2023-05-22 15:00
南方科技大學(xué)深港微電
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南方科技大學(xué)深港微電
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 14:57
南京郵電大學(xué)博士劉建
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南京郵電大學(xué)博士劉建
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場(chǎng)均勻化技術(shù)研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學(xué)博士
89100
guansheng2023-05-22 14:56

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