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科銳中國市場推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術發(fā)展”報告。 科銳作為全球大功率的整個國際上的領先者，其技術和產(chǎn)品研發(fā)一直都是業(yè)界關注的焦點。會上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場具備競爭優(yōu)勢。隨著國家相關政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，大功率LED器件技術也在不斷變革、細化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領域又有重大突破，推出革新性的NX技術平臺。該平臺將為新一代照明級LED的創(chuàng)新發(fā)展，

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負責人，主持開發(fā)了基于0.1um G

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，

所有的技術都有一個發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當中的應用。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預期是整

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質外延的程序在大容量生產(chǎn)反應器當中的表現(xiàn)主題報告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領域對于生產(chǎn)廠家來說是一個好事，那么同時它這個結果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產(chǎn)業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產(chǎn)品。

泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質的半導體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務。 作為國內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實現(xiàn)半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產(chǎn)品線涉及基礎核心技術產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術報告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應用領域的各種需求，如汽車照明，手術照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個體和外部誘導的退化因素、復雜因素和觸發(fā)因子等方面進行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統(tǒng)。針對不同的應用，如今的商業(yè)市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。