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  • 北方華創(chuàng)張軼銘：面向
    面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd
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    IFWS2025-01-09 15:05
  • 韓國(guó)東義大學(xué)教授Won-
    SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長(zhǎng)工藝條件的改進(jìn)SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國(guó)東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.
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    IFWS2025-01-09 14:55
  • 甬江實(shí)驗(yàn)室研究員王文
    異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實(shí)驗(yàn)室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)
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    guansheng2023-05-22 14:29
  • 中微公司MOCVD工藝總
    用于藍(lán)綠光Mini/Micro-LED生產(chǎn)的MOCVD新型裝備Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陳耀中微公司MOCVD工藝總監(jiān)Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China
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    guansheng2023-05-19 11:55
  • 北方華創(chuàng)王顯剛：化合
    化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.
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    limit2022-05-01 17:17
  • 中電科四十八所半導(dǎo)體
    SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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    limit2022-05-01 09:57
  • 江曉松：寬禁帶半導(dǎo)體
    《寬禁帶半導(dǎo)體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術(shù)有限公司
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    limit2022-01-05 15:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】四
    OMMIC公司董事長(zhǎng)、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長(zhǎng)王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告，報(bào)告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2019】中
    為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應(yīng)用于固化、水和空氣的凈化及醫(yī)療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫
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    limit2021-04-29 10:45
  • 【視頻報(bào)告 2019】Ult
    上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析。報(bào)告中介紹了使用Ult
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    limit2021-04-29 10:41
  • 【視頻報(bào)告】復(fù)旦大學(xué)
    紫外LED因其在醫(yī)療、印刷、環(huán)境凈化等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景，近年來市場(chǎng)份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問題已經(jīng)成為制約紫外LED發(fā)展應(yīng)用的主要瓶頸之一。復(fù)旦大學(xué)副研究員劉盼分享了燒結(jié)銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對(duì)紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開發(fā)了可調(diào)制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發(fā)了一款微縮體積照明封裝系統(tǒng)，
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    limit2020-02-03 15:40
  • 西安衛(wèi)光科技微晶微電
    西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》
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    limit2020-02-02 16:22
  • 瑞士MicrodiamantChri
    瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)的主題報(bào)告，報(bào)告表示，碳化硅業(yè)務(wù)的主要目標(biāo)是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個(gè)性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。
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    limit2020-02-01 16:23
  • 【極智課堂】華中科技
    本期嘉賓華中科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師陳明祥為大家分享《紫外/深紫外LED封裝技術(shù)與工藝研究》
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    limit2025-02-11 08:31
  • 晶科電子陳海英博士：
    晶科電子陳海英博士：技術(shù)工藝、標(biāo)準(zhǔn)制定與觀念接受是健康照明需要面對(duì)的挑戰(zhàn)
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    limit2025-02-11 08:31
  • 極智報(bào)告|英諾賽科副
    英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長(zhǎng)在各種基底上，最常見的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長(zhǎng)Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過低成本，
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    limit2025-02-11 08:31
  • 極智報(bào)告|乾照光電技
    乾照光電目前是國(guó)內(nèi)比較領(lǐng)先的紅光制造商，來自乾照光電股份有限公司技術(shù)副總監(jiān)陳凱軒分享了“藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報(bào)告。他首先介紹了藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會(huì)議室或者是戶外主流使用的顯示技術(shù)是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術(shù)LED是主動(dòng)式的發(fā)光，相對(duì)于另外兩種被動(dòng)式的發(fā)光，它的對(duì)比度，還有它顯示效果要更加的優(yōu)異，現(xiàn)在基本上在戶內(nèi)、戶外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個(gè)很重要的區(qū)別，DLP、LCD的拼接模塊
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    limit2025-02-11 08:31
  • 極智報(bào)告|愛思強(qiáng)全球
    愛思強(qiáng)全球副總裁Michael HEUKEN ：Micro LED顯示屏-高產(chǎn)率MOCVD工藝路徑。報(bào)告中，Michael HEUKEN 分享了關(guān)于 Micro LED相關(guān)設(shè)備的研究進(jìn)展及成果，也包括一些生產(chǎn)平臺(tái)等技術(shù)。他同時(shí)表示，未來非常期待手機(jī)顯示器就.....請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！
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    limit2025-02-11 08:31
  • 極智報(bào)告|北方華創(chuàng)第
    北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經(jīng)理劉利堅(jiān)介紹了LED工業(yè)中的干法刻蝕工藝技術(shù)和關(guān)鍵設(shè)備。劉利堅(jiān)長(zhǎng)期以來從事高端微電子裝備設(shè)計(jì)開發(fā)工作，對(duì)于等離子體刻蝕和PECVD設(shè)備的硬件設(shè)計(jì)和工藝應(yīng)用有豐富經(jīng)驗(yàn)。劉利堅(jiān)介紹了等離子刻蝕的一些技術(shù)問題，并具......
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    limit2025-02-11 08:31
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