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日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來(lái)了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報(bào)告。

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來(lái)功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開(kāi)關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來(lái)的電流變化率和電壓變化率問(wèn)題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無(wú)精確定時(shí)控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了

電子科技大學(xué)教授明鑫帶來(lái)了功率GaN器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的報(bào)告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

沙特國(guó)王科技大學(xué)教授李曉航分享了《半導(dǎo)體深紫外激光LED和設(shè)計(jì)軟件》研究報(bào)告。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類(lèi)型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

南京大學(xué)教授陸海報(bào)告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器及其應(yīng)用進(jìn)展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測(cè)器的材料生長(zhǎng)，設(shè)計(jì)和制造方面的最新工作。

對(duì)于大多數(shù)固態(tài)照明技術(shù)，尤其是對(duì)于深紫外發(fā)光二極管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意義。臺(tái)灣交通大學(xué)

西南交通大學(xué)副教授馬紅波分享《高效率、高可靠性多溝道HB-LED驅(qū)動(dòng)電源關(guān)鍵技術(shù)》報(bào)告

英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺(jué)神經(jīng)科學(xué)教授、轉(zhuǎn)化系統(tǒng)神經(jīng)科學(xué)中心主任及學(xué)院院長(zhǎng)Anya HURLBERT分享了《不同光譜對(duì)人類(lèi)健康的影響》研究報(bào)告。Anya Hurlbert是英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺(jué)神經(jīng)科學(xué)教授、轉(zhuǎn)化系統(tǒng)神經(jīng)科學(xué)中心主任及學(xué)院院長(zhǎng)。她獲得了普林斯頓大學(xué)物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，劍橋大學(xué)生理學(xué)碩士學(xué)位，麻省理工學(xué)院神經(jīng)科學(xué)博士學(xué)位，和哈佛醫(yī)學(xué)院醫(yī)學(xué)博士學(xué)位。她于2003年聯(lián)合創(chuàng)立了紐卡斯?fàn)柹窠?jīng)科學(xué)研究所，擔(dān)任聯(lián)合主任至2014年。Hurlbert

報(bào)告簡(jiǎn)介單晶4H型碳化硅臺(tái)階生長(zhǎng)機(jī)理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門(mén)大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

美國(guó)智能照明工程技術(shù)研究中心主任, 美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK做了題為 LED和LED封裝的未來(lái)趨勢(shì)的主題報(bào)告，探討了一些可能性，包括未來(lái)的城市照明需求、照明和視頻的融合可能性、以及其他LED照明系統(tǒng)在未來(lái)的應(yīng)用。 Robert F. KARLICEK教授有超過(guò)25年與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭人（包括ATT Bell Labs、EMCORE、通用電氣、Gore Photonics和Microsemi）合作進(jìn)行光電器件的研究、研發(fā)、和制造的經(jīng)驗(yàn)。他的主要研究重點(diǎn)是開(kāi)發(fā)了固態(tài)

美國(guó)智能照明工程技術(shù)研究中心主任、美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK分享了《針對(duì)葉菜利用動(dòng)態(tài)光譜調(diào)節(jié)提升生長(zhǎng)效率和營(yíng)養(yǎng)水平：初期研究》主題報(bào)告。 　　隨著LED技術(shù)的發(fā)展，可以同時(shí)優(yōu)化光照的光譜特性和動(dòng)態(tài)特性，從而對(duì)植物生長(zhǎng)產(chǎn)生有益的影響。本次講座將重點(diǎn)介紹LESA最近在使用定制光譜和脈沖光生長(zhǎng)協(xié)議促進(jìn)紅萵苣生長(zhǎng)方面的一些工作，重點(diǎn)是提高植物生長(zhǎng)速度和營(yíng)養(yǎng)價(jià)值。光譜可以影響植物的整體生長(zhǎng)效率和代謝副

浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長(zhǎng)泮進(jìn)明介紹了《LED綠光調(diào)控種蛋孵化胚胎代謝和出雛的機(jī)理研究》報(bào)告。首先探索LED綠光與種蛋孵化胚胎發(fā)育和代謝的劑量-效應(yīng)關(guān)系，接著基于優(yōu)選綠光劑量考察種蛋胚胎在綠光孵化期間的蛋殼特性變化和出雛階段的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)變化，從出雛供能和蛋殼特征的角度探討綠光促進(jìn)胚胎出雛、減少胚胎死亡的生理學(xué)機(jī)制，為光照孵化的產(chǎn)業(yè)化提供應(yīng)用理論指導(dǎo)，同時(shí)探索優(yōu)化種蛋孵化出雛窗口的方法，在

韓國(guó)國(guó)立首爾大學(xué)的Jung Eek SON教授分享了《作物生產(chǎn)系統(tǒng)中采用3D模型和光學(xué)模擬進(jìn)行針對(duì)遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的評(píng)估》研究報(bào)告。他介紹說(shuō)，在植物生產(chǎn)系統(tǒng)中，為了提高生產(chǎn)力和降低成本，必須提高光的利用效率，為此需要在不同的光照條件下估算冠層的光截獲量。該研究以L(fǎng)ED為光源，評(píng)估了不同生長(zhǎng)條件下生菜的光截獲、光合速率及光利用效率。采用三維掃描植物模型和射線(xiàn)追蹤模擬方法，對(duì)萵苣的光截獲率進(jìn)行了估算

北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲帶來(lái)了高壓LED及其可靠性研究的報(bào)告，介紹了當(dāng)前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。

廈門(mén)大學(xué)教授陳朝分享了紫光激發(fā)高效三基色稀土熒光粉暖白光LED的研究及其應(yīng)用。陳朝教授主要開(kāi)展半導(dǎo)體光電材料、光電器件（光伏、LED和光通信）及其領(lǐng)域的研究，主持過(guò)國(guó)家和福建省等多項(xiàng)科研任務(wù)。 其團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了紫光（390nm-400nm）激發(fā)，紅、藍(lán)、綠（RGB）高效三基色摻雜稀土熒光粉。將其涂覆在紫光LED芯片上，可發(fā)出暖的白光（發(fā)光效率：大于130 lm/W，色溫3000-4000k，顯色指數(shù)大于90，色坐標(biāo)：0.33,0.33），其發(fā)光光譜

西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開(kāi)關(guān)行為等內(nèi)容。 報(bào)告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實(shí)現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過(guò)濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延研究的報(bào)告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長(zhǎng)模型等研究?jī)?nèi)容。研究成功證明了通過(guò)脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長(zhǎng)單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長(zhǎng)模型，然后在AlN上進(jìn)行h-BN的二維橫向生長(zhǎng)。

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說(shuō)，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻