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日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報(bào)告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計(jì)為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

日本千葉大學(xué)榮譽(yù)教授矢口博久，主題為“色彩保真度指數(shù)”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指數(shù)是更精確的科學(xué)使用版本，在CIE224中發(fā)布。既然色彩保真度指數(shù)目前還不能替代現(xiàn)有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指數(shù)也是可以說(shuō)是CIE進(jìn)展過(guò)程......

日本大阪大學(xué)教授菅沼克昭分享了寬禁帶功率器件銀燒結(jié)連接的可靠性及其新進(jìn)展。