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GaN半導體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

河北半導體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

河北工業(yè)大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種

河北工業(yè)大學教授徐庶：低毒性量子點復合材料LED器件應(yīng)用

河北工業(yè)大學教授徐庶帶來則介紹了量子點用于固態(tài)照明的量子點硅脂納米復合材料。更多精彩報告，請關(guān)注下載極智頭條APP！

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。