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加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件Ga2O3Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices張宇昊弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授ZHAGN YuhaoAssociate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech

太陽能衛(wèi)星及相關(guān)波束無線電力傳輸技術(shù)的最新研發(fā)進(jìn)展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學(xué)教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers楊霏北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師

新型電力系統(tǒng)與國家雙碳戰(zhàn)略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy湯廣福--中國工程院院士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute

《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)

瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報(bào)告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項(xiàng)目的概況和重點(diǎn)。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進(jìn)展。簡要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項(xiàng)目。

蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)副總 譚在超 《SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇》

極智報(bào)告|中電科55所：SiC電力電子器件產(chǎn)品國產(chǎn)化進(jìn)展

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心籌備組組長原誠寅分享《電力電子技術(shù)在新能源汽車上應(yīng)用與發(fā)展》主題報(bào)告。更多精彩報(bào)告請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，盡情看！

所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預(yù)期是整

德國愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報(bào)告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時(shí)二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個(gè)好事，那么同時(shí)它這個(gè)結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計(jì)2018年這種全面的自動(dòng)化技術(shù)的使用，會使得我們整個(gè)產(chǎn)業(yè)會有大量的一個(gè)客戶量的增長。

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授、IEEE電力電子協(xié)會主席Braham FERREIRA在“未來寬禁帶電力電子技術(shù)的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，開幕式上曹部長說到2030年巨大的戰(zhàn)略和規(guī)劃，同時(shí)我們有非常卓越的一些技術(shù)性的演講，但這些演講都是關(guān)于技術(shù)方面的，我們能做什么？如

美國Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示，功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。