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電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無(wú)傳感器電流過零檢測(cè)技術(shù)王浩宇上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院長(zhǎng)聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University

《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢(shì)壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無(wú)等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。