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北京大學(xué)劉軒:基于結(jié)
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北京大學(xué)劉軒:基于結(jié)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒,王茂俊*,魏進(jìn),文正,解冰,郝一龍,楊學(xué)林,沈波北京大學(xué)
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guansheng
2022-09-01 13:46
中科院蘇州納米所孫錢
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中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng
2022-09-01 13:42
劉建勛:大尺寸硅基Ga
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劉建勛:大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者:劉建勛,詹曉寧,孫秀建,黃應(yīng)南,高宏偉,孫錢,楊輝單位:中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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limit
2022-01-05 16:49
極智報(bào)告|北京大學(xué)微
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極智報(bào)告|北京大學(xué)微
北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù),在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。
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2025-02-06 06:53
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