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加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban

大直徑碳化硅外延市場發(fā)展與挑戰(zhàn)Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國良河北普興電子科技股份有限公司市場總監(jiān)ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University

碳化硅產(chǎn)業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)周曉陽廣東芯聚能半導體有限公司總裁

安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器王駿躍安世半導體中國區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務負責人

SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術進展及應用田亮南瑞聯(lián)研半導體有限責任公司碳化硅產(chǎn)品線負責人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd

電熱應力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產(chǎn)業(yè)化應用陸海鎵敏光電董事長、南京大學教授LU HaiProfessor of Nanjing University

碳化硅及氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

主題對話環(huán)節(jié)，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業(yè)界中青代骨干

碳化硅基窄帶紫外光電探測器崔艷霞*，李夢輝，胡鯤，耿路路，潘登，李國輝，王文艷，許并社太原理工大學

基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復旦大學Yuan-Lan ZHANGFudan University

第三代半導體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關鍵技術及發(fā)展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應喜蕪湖啟迪半導體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授

《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛 教授 山東大學

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《碳化硅溝槽刻蝕技術研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍，張園覽單位：復旦大學工程與應用技術研究院超越照明研究所

《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院