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等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學(xué)LIU HuanNanjing University

無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設(shè)計與優(yōu)化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂嘉西安電子科技大學(xué)副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University

等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field謝秋實北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.

鈣鈦礦中離子遷移的實時觀測及其對LED及電池器件穩(wěn)定性的影響研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄廈門大學(xué)微電子與集成電路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)

中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國產(chǎn)離子注入機發(fā)展及應(yīng)用》主題報告。

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大