極智報告|丹麥科技大丹麥科技大學教授歐海燕SiC白光發(fā)射主題報告;報告中指出,碳化硅(SiC)是寬間接帶隙半導體,發(fā)光效率低。 但這種材料除了豐富之外,還具有非常獨特的物理性能,如良好的導熱性,高擊穿電場等。 因此,研究其發(fā)光性能是非常有意義的,以便充分利用這種材料。 在這個演講中,介紹兩種方法,即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發(fā)光的SiC。通過氮與硼共同重摻雜SiC,以證明有強烈的黃光發(fā)出。 之后,在優(yōu)化鈍化條件之后,多孔SiC發(fā)射強藍綠色的光也被證明。當發(fā)黃光的共摻雜SiC和發(fā)藍綠光的多孔Si
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