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  • Lars SAMUELSON院士:
    實(shí)現(xiàn)超小型全氮化微型LED的納米級(jí)材料科學(xué)Nanometer-scale Materials Science Enabling Ultra-small All-Nitride Micro-LEDsLarsSAMUELSON瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士、瑞典德隆大學(xué)教授、南方科技大學(xué)講席教授LarsSamuelsonMember of Royal Swedish Academy of Engineering, Member of Royal Swedish Academy of Sciences，F(xiàn)oreign Member of the Chinese Academy of Sciences, Professor of Lund Univer
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    SSLCHINA2025-01-09 15:47
  • 材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研
    基于納米壓印全生態(tài)產(chǎn)業(yè)平臺(tái)的微納光學(xué)器件制造Manufacturing of Micro and Nano Optical Devices Based on Nanoimprint Eco-industrial Platform羅剛材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室研究員、蘇州新維度微納科技有限公司創(chuàng)始人LUO GangProfessor of Gusu Lab, Founderof NDnano
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    SSLCHINA2025-01-09 15:17
  • 中科院蘇州納米所研究
    硅襯底GaN基光電材料外延生長(zhǎng)Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
    55400
    IFWS2025-01-09 14:41
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
    氨熱法氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國(guó)強(qiáng)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
    44300
    IFWS2025-01-09 14:24
  • 中科院蘇州納米所助理
    功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
    72500
    guansheng2023-05-22 15:12
  • 中國(guó)科學(xué)院北京納米能
    AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國(guó)中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
    100800
    guansheng2023-05-22 15:02
  • 西安電子科技大學(xué)廣州
    用于高像素密度顯示器的高效率Micro-LED和納米LEDHigh efficiency micro-LEDs and nano-LEDs for displays with high pixel density劉先河西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授LIU XianheProfessor of Guangzhou Institute of Technology of Xidian University
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    guansheng2023-05-22 14:16
  • 廈門大學(xué)副教授盧衛(wèi)芳
    Micro-LED用GaN納米線上生長(zhǎng)的非極性GaInN/GaN多量子殼的系統(tǒng)研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs盧衛(wèi)芳廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理學(xué)系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University
    73800
    guansheng2023-05-22 14:12
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
    氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
    95300
    guansheng2023-05-22 10:07
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
    室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS
    102100
    guansheng2023-05-19 14:54
  • 湖北大學(xué)何云斌教授：
    MgO（100）上生長(zhǎng)柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測(cè)器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學(xué)教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    113500
    guansheng2023-05-19 14:23
  • 國(guó)家納米科學(xué)中心研究
    利用泵浦-探測(cè)瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測(cè)定立方砷化硼的高雙極性遷移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy劉新風(fēng)國(guó)家納米科學(xué)中心研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences
    130900
    guansheng2023-05-19 14:20
  • 蘇州大學(xué)功能納米與軟
    鈣鈦礦LED晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University
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    guansheng2023-05-19 13:51
  • 中國(guó)科學(xué)院北京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對(duì)稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長(zhǎng)期以來(lái)這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過(guò)程被忽略。近年來(lái)對(duì)于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。會(huì)上，王中林院士帶來(lái)了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報(bào)告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
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    guansheng2022-09-10 15:42
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
    124700
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 陜西科技大學(xué)馬淑芳：
    基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測(cè)性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國(guó)棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學(xué)
    67300
    guansheng2022-09-02 16:01
  • 中科院蘇州納米所孫錢
    硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    55200
    guansheng2022-09-01 13:42
  • 中科院蘇州納米所郭小
    1200V級(jí)硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    67100
    guansheng2022-09-01 12:50
  • 中科院北京納米所胡衛(wèi)
    壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國(guó)*中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
    64400
    guansheng2022-09-01 12:22
  • 陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
    《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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    limit2022-01-07 15:02
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