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SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學教授、釜山電力半導體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學院半導體研究所副研究員、中科重儀半導體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.

氮化物的范德華外延：基底結(jié)構(gòu)、多性能控制和紫外光電器件應(yīng)用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孫曉娟中科院長春光機所研究員SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences

Ga2O3/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光電探測器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黃凱廈門大學物理科學與技術(shù)學院副院長、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

鈣鈦礦LED晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學功能納米與軟物質(zhì)研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

基于結(jié)終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學林，沈波北京大學

基于寬禁帶半導體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用 張榮 教授 廈門大學

《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學電子與信息工程學院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所

《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院

《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學

《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院

《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧靜，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學微電子學院

《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導體有限公司

《量子點/氮化物半導體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

南京大學電子科學與工程學院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大

來自臺灣交通大學佘慶威教授，他在《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。

為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應(yīng)用于固化、水和空氣的凈化及醫(yī)療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫

廈門大學高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University