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  • 極智報(bào)告|美國(guó)倫斯勒
    周達(dá)成授表示,在過去十年中,基于兩個(gè)寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體(GaN和SiC)的功率開關(guān)器件正在影響功率電子系統(tǒng),這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能,且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示,通過模擬和實(shí)驗(yàn)應(yīng)力(如電流崩塌和高溫反偏),評(píng)估了現(xiàn)有......請(qǐng)?jiān)赪IFI條件下反復(fù)觀看!
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  • 極智報(bào)告|美國(guó)Wolfspe
    美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示,功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分,其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用,如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中,IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì),Si 功率器件正在接近他們的性能極限。
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  • 極智報(bào)告|美國(guó)維易科
    作為MOCVD設(shè)備的巨頭之一,美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Mark MCKEE帶來了關(guān)于MOCVD最新市場(chǎng)及技術(shù)進(jìn)展的報(bào)告。Mark MCKEE表示,非常希望以最低的成本得到最高的性能表現(xiàn),一方面要提高效率,在一些關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)力,比如均一性方面需要......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看!或下載極智APP收藏反復(fù)觀看!
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  • 極智報(bào)告|美國(guó)密歇根
    美國(guó)密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應(yīng)用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應(yīng)變工程技術(shù)。Pei-Cheng Ku自2012年起,成為美國(guó)密歇根大學(xué)電機(jī)工程與計(jì)算機(jī)系副教授?,F(xiàn)在KU教授的研究專注在“節(jié)能光電”,具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看!或下載極智APP收藏反復(fù)觀看!
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