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中科院蘇州納米所研究
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中科院蘇州納米所研究
硅襯底GaN基光電材料外延生長(zhǎng)Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:41
中電科第十三所高級(jí)工
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中電科第十三所高級(jí)工
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長(zhǎng)研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS2025-01-09 14:27
復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛
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復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛
基于InGaN基硅襯底Micro-LED的多色集成轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飛復(fù)旦大學(xué)副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 14:07
北京大學(xué)教授、北大東
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北京大學(xué)教授、北大東
藍(lán)寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強(qiáng)北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長(zhǎng)WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University
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guansheng2023-05-22 13:59
鼎泰芯源晶體董事長(zhǎng)趙
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鼎泰芯源晶體董事長(zhǎng)趙
高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates趙有文珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長(zhǎng)ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
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guansheng2023-05-22 13:36
云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)
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云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)
高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd
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guansheng2023-05-22 11:45
大連理工大學(xué)副教授張
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大連理工大學(xué)副教授張
利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology
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guansheng2023-05-19 14:41
芯元基半導(dǎo)體總經(jīng)理郝
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芯元基半導(dǎo)體總經(jīng)理郝
用于Micro LED芯片規(guī)模量產(chǎn)化的化學(xué)剝離生長(zhǎng)襯底技術(shù)Chemical Peel Growth Substrate Technology for Mass Production of Micro LED Chips郝茂盛上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理HAO MaoshengGeneral Manager of Shanghai Chipfoundation Semiconductor Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 11:48
桑立雯：利用AlN傳導(dǎo)
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桑立雯：利用AlN傳導(dǎo)
利用AlN傳導(dǎo)層在GaN襯底上外延生長(zhǎng)金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
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guansheng2023-05-19 08:42
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長(zhǎng)High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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guansheng2023-05-18 16:19
南京大學(xué)教授修向前：
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南京大學(xué)教授修向前：
基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學(xué)教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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guansheng2023-05-18 16:18
納維科技總經(jīng)理王建峰
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納維科技總經(jīng)理王建峰
應(yīng)用于垂直器件的高電導(dǎo)率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
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guansheng2023-05-18 16:16
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
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guansheng2022-09-09 15:53
大連理工大學(xué)張赫之：
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大連理工大學(xué)張赫之：
兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
中科院蘇州納米所郭小
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中科院蘇州納米所郭小
1200V級(jí)硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 12:50
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)》徐現(xiàn)剛教授山東大學(xué)
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
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余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:56
孫錢：硅襯底GaN基激
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孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
【視頻報(bào)告 2018】P.S
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【視頻報(bào)告 2018】P.S
高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
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limit2021-04-29 12:25

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