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SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進(jìn)SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

韓國國立首爾大學(xué)的Jung Eek SON教授分享了《作物生產(chǎn)系統(tǒng)中采用3D模型和光學(xué)模擬進(jìn)行針對(duì)遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的評(píng)估》研究報(bào)告。他介紹說，在植物生產(chǎn)系統(tǒng)中，為了提高生產(chǎn)力和降低成本，必須提高光的利用效率，為此需要在不同的光照條件下估算冠層的光截獲量。該研究以LED為光源，評(píng)估了不同生長條件下生菜的光截獲、光合速率及光利用效率。采用三維掃描植物模型和射線追蹤模擬方法，對(duì)萵苣的光截獲率進(jìn)行了估算

韓國嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術(shù)報(bào)告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應(yīng)用領(lǐng)域的各種需求，如汽車照明，手術(shù)照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個(gè)體和外部誘導(dǎo)的退化因素、復(fù)雜因素和觸發(fā)因子等方面進(jìn)行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受