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  • 中山大學(xué)王鋼:基于金
    基于金屬有機化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*,陳偉驅(qū),羅浩勛,陳梓敏,盧星,裴艷麗中山大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:13
  • 廈門大學(xué)龍浩:氧空位
    氧空位在異質(zhì)外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳,馬曉翠,梅洋,應(yīng)磊瑩,張保平*,龍浩*廈門大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 16:08
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 張文輝:升華法生長β
    《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者:張文輝,張赫之,梁紅偉單位:大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
    10900
    limit2022-01-07 15:00
  • Jiaxiang Chen: Elect
    Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
    16000
    limit2022-01-07 14:19
  • 徐童齡:基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者:徐童齡,羅浩勛,鄧郁馨,陳梓敏,裴艷麗,盧星,王鋼單位:中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點實驗室
    6500
    limit2022-01-07 13:50
  • 鄭偉:4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者:程璐,鄭偉單位:中山大學(xué)材料學(xué)院,國家光電材料與技術(shù)國家重點實驗室
    28400
    limit2022-01-07 13:32
  • 張濤:MOCVD異質(zhì)外延G
    《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者:張濤,胡志國,程倩,馮倩,張雅超,張進成單位:西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    7800
    limit2022-01-06 11:39
  • 李悅文:亞穩(wěn)相正交結(jié)
    《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者:李悅文,修向前,許萬里,施佳城,朱宇霞,張榮,鄭有炓單位:南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    22000
    limit2022-01-06 11:09
  • 劉增:Strategies of
    Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者:李山,晏祖勇,劉增,唐為華單位:北京郵電大學(xué)理學(xué)院,南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院、微電子學(xué)院
    19700
    limit2022-01-05 17:14
  • 【極智課堂】中國科學(xué)
    深紫外線檢測技術(shù)具有重要的應(yīng)用,例如紫外線成像,紫外線/紅外線雙重引導(dǎo),預(yù)警系統(tǒng),紫外線通訊,紫外線干擾等。中國科學(xué)技術(shù)
    234800
    limit2021-04-26 16:22
  • 中國科學(xué)院微電子研究
    中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?;谛脱趸壦a(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題,在自然能源不斷減少,價格不斷上升的背景下,我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域,包括高鐵和智能電網(wǎng)等,硅仍然是主導(dǎo)材料,但有一定局限性,比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比,有弱勢的地方。
    215100
    limit2018-02-01 10:49
  • 極智報告|山東大學(xué)教
    山東大學(xué)教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告,分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。
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    limit2025-02-06 14:44
  • 極智報告|日本Novel C
    日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告,分享了其最新研究成果。
    600
    limit2025-02-06 14:44
  • 極智報告|廣西大學(xué)杰
    廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu),多孔硅,碳化硅,III族氮化物(3本),氧化鋅,固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著,
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    limit2025-02-06 14:44
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