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《具有超高光響應(yīng)（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院

《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機(jī)理》作者：吳千樹(shù)，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠(yuǎn)，劉揚(yáng)單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所

《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝啵顣x閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)

《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)

《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)微電子與集成電路系微納光電子研究室

《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)

《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見(jiàn)光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過(guò)結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。

極智報(bào)告|華中科技大學(xué)張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法