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北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
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北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級(jí)硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 13:46
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運(yùn)，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院微電子所黃森：
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中科院微電子所黃森：
全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢(mèng)，王鑫華，魏珂，劉新宇中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
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guansheng2022-09-01 13:43
中科院蘇州納米所孫錢
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中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大學(xué)周峰：從應(yīng)
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南京大學(xué)周峰：從應(yīng)
從應(yīng)用端看GaN功率電子器件面臨的關(guān)鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 13:29
中科院蘇州納米所郭小
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中科院蘇州納米所郭小
1200V級(jí)硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 12:50
中國(guó)科學(xué)院微電子所金
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中國(guó)科學(xué)院微電子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增強(qiáng)型p-FET器件研究金昊，蔣其夢(mèng)*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
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guansheng2022-09-01 12:49
南京大學(xué)陳鵬：GaN基
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南京大學(xué)陳鵬：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:38
中科院寧波材料所郭煒
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中科院寧波材料所郭煒
基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛(wèi)
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中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國(guó)*中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大學(xué)王海萍:基于
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南京大學(xué)王海萍:基于
基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:16
江蘇第三代半導(dǎo)體研究
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江蘇第三代半導(dǎo)體研究
GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國(guó)斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
南京大學(xué)莊喆：InGaN
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南京大學(xué)莊喆：InGaN
InGaN基紅光Micro-LED器件研究莊喆*，劉斌，張榮南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:34
清華大學(xué)汪萊：GaN基
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清華大學(xué)汪萊：GaN基
GaN基高速藍(lán)綠光Micro-LED研究進(jìn)展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:30
北京大學(xué)陳兆營(yíng)：面向
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北京大學(xué)陳兆營(yíng)：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營(yíng)，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強(qiáng)*北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:23
劉紀(jì)美：High perform
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劉紀(jì)美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs劉紀(jì)美教授香港科技大學(xué)
38400
limit2022-01-11 17:22
林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
41400
limit2022-01-10 13:09
Long Yan: Optimizati
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Long Yan: Optimizati
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
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黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
13200
limit2022-01-10 11:07
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
12300
limit2022-01-10 10:40

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