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  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17000
    limit2022-01-07 13:47
  • 張赫朋：室溫1.04 mA/
    《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢(shì)壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    13400
    limit2022-01-07 13:34
  • 鄭偉：4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國(guó)家光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    28400
    limit2022-01-07 13:32
  • 陳鵬：GaN基肖特基功
    《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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    limit2022-01-07 13:31
  • 張昊宸：具有超高光響
    《具有超高光響應(yīng)（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
    5800
    limit2022-01-07 13:29
  • Hui Guo: NiO/AlGaN i
    NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    19500
    limit2022-01-07 11:53
  • 吳千樹：肖特基p型柵
    《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機(jī)理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠(yuǎn)，劉揚(yáng)單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
    23500
    limit2022-01-07 11:51
  • 徐尉宗：具有高可靠感
    《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    15700
    limit2022-01-07 11:50
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21300
    limit2022-01-07 11:15
  • 陳敦軍：高增益AlGaN
    《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    4700
    limit2022-01-07 08:59
  • 詹騰：金屬氧化物/AlG
    《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝啵顣x閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
    14700
    limit2022-01-07 08:57
  • 周玉剛：基于Ag、Mg金
    《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    15800
    limit2022-01-06 11:46
  • 閆建昌：AlGaN基紫外L
    《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
    33300
    limit2022-01-06 11:41
  • 余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
    《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17400
    limit2022-01-06 10:56
  • 黃華洋：C-Related De
    C-Related Deep Donor in P-Type GaNAuthor: Huayang Huang, Xuelin Yang,Zeming Qi, Shan Wu, Zhaohua Shen, Danshuo Liu,Fujun Xu, Ning Tang, Xinqiang Wang, Weikun Ge and Bo ShenInstitute: Peking University, University of Science and Technology of China, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter
    9600
    limit2022-01-06 10:54
  • 張皇澍：A quantitati
    A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟達(dá)，張皇澍，楊志堅(jiān)，吳潔君，于彤軍單位：北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心
    20000
    limit2022-01-06 10:53
  • 王宏躍：Investigatio
    Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration作者：王宏躍，許實(shí)清，周斌，施宜軍，付志偉，陳思，路國(guó)光，黃云，王金延單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所，北京大學(xué)
    2600
    limit2022-01-06 10:51
  • 胡安琪：高靈敏石墨烯
    《高靈敏石墨烯氮化鎵探測(cè)器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)
    7000
    limit2022-01-06 10:46
  • 梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
    《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)微電子與集成電路系微納光電子研究室
    17500
    limit2022-01-06 10:43
  • 孫海定：AlGaN基紫外
    《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    6300
    limit2022-01-06 10:30
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