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  • 中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
    GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.
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    IFWS2025-01-09 14:42
  • 中電科十三所基礎(chǔ)研究
    使用MOCVD生長的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龍中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
    128900
    guansheng2023-05-22 10:25
  • 中微公司MOCVD工藝總
    用于藍(lán)綠光Mini/Micro-LED生產(chǎn)的MOCVD新型裝備Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陳耀中微公司MOCVD工藝總監(jiān)Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China
    92700
    guansheng2023-05-19 11:55
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70900
    guansheng2023-05-18 16:19
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    當(dāng)前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險對人口流動和經(jīng)濟(jì)活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護(hù)公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)
    211100
    guansheng2022-09-10 15:45
  • 廈門大學(xué)張榮 教授:氮
    第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團(tuán)隊在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團(tuán)隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究
    202500
    guansheng2022-09-10 15:43
  • 中國科學(xué)院北京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
    200700
    guansheng2022-09-10 15:42
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報告；廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技
    291100
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中國科學(xué)院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
    124700
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    218100
    guansheng2022-09-09 15:50
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分
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    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對話：碳化硅、氮
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
    124000
    guansheng2022-09-08 15:57
  • 圓桌對話：MOCVD外延
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
    126000
    guansheng2022-09-08 15:55
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)譚鵬
    零回滯氧化鎵光電晶體管 從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    78700
    guansheng2022-09-02 16:03
  • 南京大學(xué)葉建東：氧化
    氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    71100
    guansheng2022-09-02 16:02
  • 陜西科技大學(xué)馬淑芳：
    基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學(xué)
    67300
    guansheng2022-09-02 16:01
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世
    氧化鎵半導(dǎo)體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    87000
    guansheng2022-09-02 15:59
  • 湖北大學(xué)陳興馳：基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強型自驅(qū)動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
    75100
    guansheng2022-09-01 16:22
  • 吉林大學(xué)焦騰：n型Ga2
    n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延焦騰，陳威，李政達(dá)，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學(xué)
    65800
    guansheng2022-09-01 16:21
  • 南京大學(xué)汪正鵬：NiO/
    NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    63700
    guansheng2022-09-01 16:20
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