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極智報告|日本大阪大學高悅：銅顆粒燒結貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。