近日，太極實業(yè)公司接到控股子公司信息產業(yè)電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）發(fā)來的通知，十一科技與江蘇仁奇科技有限公司（“江蘇仁奇”，項目業(yè)主）就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產業(yè)園項目簽訂了《EPC總承包工程合同》。
 

據披露，江蘇仁奇科技有限公司芯片產業(yè)園區(qū)投資建設項目擬利用2年時間，在泗陽經濟開發(fā)區(qū)建成一個涵蓋芯片制造、封測、研發(fā)的產業(yè)化基地，形成年產6英寸0.25um芯片線60萬片，年封測10億顆的生產能力。

江蘇仁奇科技有限公司芯片產業(yè)園項目EPC總承包工程的金額達10.886億元（含稅價），總工期為30個月（開工日期以發(fā)包人的開工令為準），工程承包范圍：為本項目提供EPC服務，包括本項目的設計、施工、協(xié)助招標人與政府相關職能部門協(xié)調、用戶交接以及項目施工前的各項手續(xù)的辦理和項目完成后各項竣工驗收的全過程服務及相應的保修服務。本項目未包含需業(yè)主另行支付的生產工藝設備、監(jiān)理費、試生產費用、建設單位管理費、其他前期工作、廠區(qū)高壓變電站、供電外線費、大宗氣站及氣站設備、辦公家具、二次配管配線等。
 

太極實業(yè)表示，合同的簽訂體現了子公司十一科技在集成電路產業(yè)領域的EPC領先地位，合同的履行將對公司的經營業(yè)績產生積極影響。
 

據天眼查獲悉，這家公司2019-08-30成立，注冊資本50000萬人民幣，注冊地址宿遷市泗陽縣經濟開發(fā)區(qū)浙江路36號。

此前泗陽人民政府公告，江蘇仁奇科技有限公司年產18萬片GaAs、年封測13億片集成電路建設項目環(huán)境影響報告表的批復，這么說仁奇科技布局應該就是化合物半導體砷化鎵項目。建設地點應該就是江蘇泗陽經濟開發(fā)區(qū)太湖路東側、浙江路北側。

5月泗陽人才信息網，江蘇仁奇科技有限公司公布的招聘信息，獲悉，目前共招聘建廠預算員和工程手續(xù)員，那么江蘇仁奇科技有限公司應該最近要開始廠房建設，根據十一科技近日公布最新消息，那么我們有理由相信此項目應該在近期就會開始建設，你怎么看呢？
 

另外，此次建設的半導體化合物GaAs，又是一個什么情況？
 

GaAs半導體產業(yè)：參與者多為Skyworks、Qorvo、Avago等國外IDM廠商。
 

襯底制備、外延片方面，日本處于領先地位。晶圓制備方面，全球GaAs襯底出貨量將保持較強的增長趨勢，預計2023年年出貨量將從目前的170萬片上升到400萬片。當前，住友電工、Freiberger、日立電纜、以及ATX四家企業(yè)采用國際先進的液封直拉法（LEC）和垂直梯度凝固法（VGF），襯底直徑最大可達6英寸，占據了90%以上的國際市場。國內企業(yè)如中科晶電、中科鎵英等企業(yè)所制備的GaAs襯底普遍在2英寸到4英寸之間，部分企業(yè)仍采取較為落后的水平布里其曼法（HB），晶體質量較差。
 

制造代工方面，目前制造產能主要分布在IDM廠商和代工廠中，且代工廠的市場占比正不斷提高，其中臺灣地區(qū)的穩(wěn)懋占據GaAs晶圓代工市場三分之二以上。產品設計方面，射頻器件由國外IDM廠商壟斷，我國在光電器件領域具備一定競爭力，目前已占全球LED市場近20%的份額。

GaN技術：難點在于晶圓制備工藝，歐美日在此方面優(yōu)勢明顯，我國則以軍工應用為主，產能略有不足。
 

由于將GaN晶體熔融所需氣壓極高，因此無法通過從熔融液中結晶的方法生長單晶，須采用外延技術生長GaN晶體來制備晶圓。目前最為主流的方法是氫化物氣沉積法，住友電工、三菱化學等企業(yè)均采用此法，其中日本住友電工是全球最大GaN晶圓生產商，占據了90%以上的市場份額。
 

我國在GaN晶圓制造方面已經有所突破，蘇州納維公司的2英寸襯底片年產能已達到1500片，4英寸襯底已推出產品，目前正在開展6英寸襯底片研發(fā)。GaN外延片根據襯底材料的不同，可分為基于藍寶石、Si襯底、SiC以及GaN四種，分別用于LED、電力電子、射頻以及激光器，其晶體質量依次提升，成本依次升高。