2020年8月4-7日，第十六屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議在安徽屯溪盛大召開。本次會議以“先進光電技術(shù)· 智能綠色制造”為主題，與會專家學(xué)者、工程技術(shù)人員和企業(yè)家圍繞MOCVD生長機理與外延技術(shù)、MOCVD設(shè)備、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件等領(lǐng)域開展廣泛交流，了解發(fā)展動態(tài)，促進相互合作。
 

會議期間，北京大學(xué)的研究人員以“極化調(diào)制多量子壘EBL對AlGaN基深紫外LED載流子輸運性質(zhì)的影響研究”為題，利用仿真技術(shù)對AlGaN基深紫外LED器件進行了深度剖析，研究發(fā)現(xiàn)采用Al組分和厚度漸變的多量子壘電子阻擋層結(jié)構(gòu)可以極大的抑制電子泄露，提高空穴的注入效率，進一步提升器件的整體性能[Appl. Phys. Lett., 114, 172105 (2019)]。以“氮極性Ⅲ族氮化物隧穿結(jié)LED制備研究”為題，吉林大學(xué)的研究人員利用仿真技術(shù)揭示了含有氮極性隧穿結(jié)的LED器件可降低器件的總電阻，同時增加外量子效率[ACS Photonics, 7, 1723 (2020)]。此外，蘇州納米所的科研人員以“基于MOCVD生長的高性能長波InAs/GaSb超晶格探測器”為題、鄭州大學(xué)的研究組以“用p-AlGaN內(nèi)嵌層的電子阻擋層改善AlGaN基深紫外激光器性能”為題分別以海報形式展示了仿真技術(shù)在超晶格探測器以及深紫外激光器中的研究中起到了至關(guān)重要的作用[IEEE Photonocs Technology Letters, 31, 185 (2019); IET Electronics Letters, 0013 (2020)]。賽米卡爾科技技術(shù)團隊以“半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)對半導(dǎo)體芯片制造的重要作用”為主題，通過利用半導(dǎo)體仿真手段研究垂直腔面發(fā)射激光器、肖特基功率二極管、深紫外發(fā)光二極管管、紫外光電探測器等半導(dǎo)體器件，并對相關(guān)研究成果進行相關(guān)闡述和匯報，充分證實了半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)在半導(dǎo)體器件設(shè)計和制備過程中的關(guān)鍵作用，并表明半導(dǎo)體仿真技術(shù)對深入分析影響半導(dǎo)體器件關(guān)鍵特性指標的物理原因的不可替代性。賽米卡爾技術(shù)團隊成員分別在8月5號下午以口頭報告和邀請報告的形式進行了匯報：
 

以“利用摻雜突變提高GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）的電流擴展效應(yīng)”為題進行匯報；對于半導(dǎo)體激光器行業(yè)而言，從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要面臨研發(fā)周期長、制備工藝復(fù)雜、 驗證成本高等一系列難題，然而芯片結(jié)構(gòu)的設(shè)計與分析將顯得尤為重要。為了解決VCSEL限制孔中心低電流注入效率問題，我司技術(shù)團隊借助于仿真技術(shù)對于VCSEL結(jié)構(gòu)進行深入剖析，提出了一種具有PNP-GaN結(jié)構(gòu)電流擴展層的GaN基VCSEL，一方面利用摻雜突變促進空穴向限制孔中心擴展，另一方面可以減薄ITO層的厚度從而避免大量的內(nèi)部損耗。此外，通過利用仿真技術(shù)深入地分析了熱量分布對GaN基 VCSEL激光功率、電光轉(zhuǎn)換效率以及效率衰減(rollover)的影響?；诖搜芯浚瑢τ贕aN基VCSEL激光功率的提高和rollover效應(yīng)的緩解提供了新的芯片設(shè)計思路[Optics Express, 28, 18035 (2020)]。

以“用于獲得高擊穿電壓和低漏電流的Mesa型GaN基肖特基勢壘二極管的設(shè)計策略”為題，闡述了目前Mesa型GaN基肖特基勢壘二極管（TMBS）可改進平面型肖特基勢壘二極管存在的漏電流大、擊穿電壓低的問題，但由于TMBS器件溝槽拐角處電勢線積聚嚴重，局部電場大將會導(dǎo)致器件提前擊穿。而我司技術(shù)團隊利用仿真技術(shù)對TMBS器件做了深入系統(tǒng)的研究，探索了各個關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件性能的影響，進一步凝練了器件的設(shè)計規(guī)則，該研究成果對于優(yōu)化TMBS器件結(jié)構(gòu)和提高器件性能具有重要的指導(dǎo)意義[IEEE Trans. Electron. Dev., 67, 266 (2020)]。

以“半導(dǎo)體仿真技術(shù)在第三代半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用”為題，對半導(dǎo)體仿真技術(shù)在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中取得的一系列成果做了總結(jié)匯報。眾所周知，半導(dǎo)體芯片的飛速發(fā)展使得芯片研發(fā)的時間將會不斷地被壓縮，同時，半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備和原材料等投入的高昂的研發(fā)成本也會影響半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。而半導(dǎo)體仿真技術(shù)可以對未來可能發(fā)生的情況進行系統(tǒng)的、科學(xué)的、合理的推算，有效避免造成人力、物力的浪費，幫助科研人員和技術(shù)工作者做出正確的決策。

 

賽米卡爾科技的技術(shù)團隊來自于國內(nèi)外知名院校及研發(fā)機構(gòu)，半導(dǎo)體芯片的仿真設(shè)計對技術(shù)人員的基本素質(zhì)提出了極高的要求，需要具備深厚的半導(dǎo)體器件物理功底、掌握各種半導(dǎo)體器件的制備工藝、優(yōu)異的邏輯思維能力以及計算機編程能力，我們擁有一支專業(yè)的人才隊伍，切實為您解決專業(yè)的技術(shù)難題，打破實驗探究瓶頸，優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)參數(shù)，縮短實驗研發(fā)周期，降低實驗成本，因此，仿真技術(shù)的發(fā)展也勢必會給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更為鮮活的動力，加速產(chǎn)品研發(fā)的迭代速度，為中國芯的發(fā)展保駕護航！