11月23-25日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
25日上午，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會如期舉行。分會期間，美國哥倫比亞大學電氣工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS，南方科技大學電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌，北京大學教授陳志忠，華燦光電股份有限公司張奕，佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠，廈門大學電子科學與技術學院副教授吳挺竹等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。福州大學教授嚴群主持了本屆分會。
美國哥倫比亞大學電氣工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS帶來了題為”用于生物醫(yī)學光學的MicroLED和OLED器件”的視頻報告，報告指出，硅電子是很好并提供寶貴的功能系統(tǒng)。薄膜電子使我們能夠添加幾乎任意的功能，這要歸功于低熱量預算和對模板的輕松需求等。光電集成在生物電子系統(tǒng)中尤其有價值。通過混合集成方法，我們可以混合和匹配我們需要的功能（特別是陣列控制、開關、傳感和放大）來構建未來的系統(tǒng)。
南方科技大學電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)分享了量子點顯示技術的主題報告，QD是一種節(jié)能、高質(zhì)量的顯示技術。ZnO/ZnMgO的RSE可能導致QLED的正老化，這為QLED的研究提供了一個新的視角。IJP適用于QLED。
南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌做了題為“具有GaN隧道結的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備”主題報告，廈門大學電子科學與技術學院副教授吳挺竹帶來了”半極性Micro-LED 在顯示與通信方面的應用“的主題報告，分享了最新成果。
北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司工藝技術經(jīng)理張軼銘分享了“基于Mini/ Micro LED新興應用的裝備進展”主題報告。
北京大學教授陳志忠做了題為“Micro-LED大注入條件下的多體效應研究”的主題報告，報告顯示，在GaN襯底上制備了直徑為20μm的GaN/InGaN微LED。從50 kA/cm2到360 kA/cm2測量了EL光譜。利用多體理論，用APSYS模擬分析了EL光譜的寬度、峰值波長和強度。電致發(fā)光譜的展寬是由于CS效應，而CE則是導致光譜左側(cè)收縮的原因。BGR和結溫會引起紅移，而紅移克服了由于波段填充、極化場屏蔽和CS效應引起的藍移。CE效應在140 kA/cm2之前下降，然后增加到360kA/cm2。增強的庫侖相互作用導致d（logL）/d（logI）和EQE的異?，F(xiàn)象。
隨著LED顯示屏于娛樂、零售，遠程會議，教育、醫(yī)療、安防等市場需求增加，小間距、超小間距顯示屏景氣度持續(xù)向好。華燦光電股份有限公司張奕博士分享了新一代顯示用Mini/Micro LED芯片技術研究與展望。其中，報告指出，Mini LED RGB顯示技術作為小間距顯示屏的自然延伸，無論是下游應用還是工藝技術均可無縫銜接，有望為LED顯示屏注入新的源頭活水。P1.1以下的顯示屏應用，Mini LED 為主流芯片方案。Micro LED顯示將應用于電視、手機、AR/VR，車載顯示、可穿戴電子、數(shù)字顯示（商業(yè)廣告與顯示等），預估2024年在TV以及IT顯示器應用上，Micro LED片量將有快速增長。2024年在TV應用上， Micro LED 芯片產(chǎn)值將達到21億美元。背光應用是Mini LED產(chǎn)業(yè)化的另一重要推手。隨著良率的提高Mini LED背光顯示的成本將以每年15-20%的幅度下降，將大比例替代現(xiàn)有的 LED 背光，成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇；預估2025年MiniLED背光芯片市場規(guī)模將達到14.3億美元，其中用于數(shù)字顯示的芯片產(chǎn)值將達到6.14億美元，其次為IT產(chǎn)品及TV顯示，產(chǎn)值均超過3億美金。Micro LED的外延技術關鍵涉及波長均勻性一致性、缺陷和Particle的控制、外延面積的有效利用等方面。
佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術演變的問題、思考及進展。報告指出，2018年開始LED顯示屏到P1.0~P0.4 Mini LED顯示時代。P1.0~P0.4 Mini LED顯示的封裝技術包含SMD、IMD和COB。Micro LED技術面臨結構設計、工藝開發(fā)、可靠性、系統(tǒng)集成等四大挑戰(zhàn)。Micro LED顯示封裝產(chǎn)業(yè)化則面臨著新材料、新設備、新結構以及良率成本等問題。
廈門大學電子科學與技術學院副教授吳挺竹分享了“半極性Micro-LED 在顯示與通信方面的應用”主題報告。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
