近三十年以來,在學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界不懈的努力下,AlGaN基深紫外LED的性能已經(jīng)獲得較顯著的提升。但跟成熟的GaN基器件相比,目前AlGaN基的深紫外LED效率仍舊較低(<10%)。高導(dǎo)電性的p型AlGaN材料制作困難是制約深紫外LED電學(xué)、光學(xué)特性,以至效率進(jìn)步的最為關(guān)鍵瓶頸之一。在氮化物材料體系外延過程中,氫雜質(zhì)(H)容易與p型摻雜的鎂受主(Mg)結(jié)合形成中性的Mg-H絡(luò)合物,進(jìn)而鈍化Mg的受主活性,抑制器件的光電性能。對(duì)于深紫外LED而言,改善高Al組分AlGaN的p型導(dǎo)電性仍然是一個(gè)十分緊迫,但也極具挑戰(zhàn)性的難題。
近日,由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦,南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2020)在深圳會(huì)展中心召開。
期間,由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司共同協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)分會(huì)”上,廈門大學(xué)教授蔡端俊帶來了“氯離子局域場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的快速除氫p型增強(qiáng)技術(shù)及深紫外LED效率提升”的主題報(bào)告,分享了其研究成果。
研究提出了一種氯離子局域電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的新型高效除氫及p型增強(qiáng)技術(shù),通過外加電場(chǎng)方式在AlGaN外延層表面吸聚高濃度氯離子層,進(jìn)行快速局域氫移除,可有效增強(qiáng)p型AlGaN導(dǎo)電性,進(jìn)而有效提升深紫外LED的發(fā)光效率。
首先,第一性原理模擬計(jì)算表明,外加電場(chǎng)可以促進(jìn)Mg-H絡(luò)合物的斷裂(圖1a,b)。特別是在定向電場(chǎng)力的驅(qū)動(dòng)下,獨(dú)立的H+離子可以快速地?cái)U(kuò)散/漂移至晶圓表面,最終離開晶圓。從這個(gè)概念出發(fā),進(jìn)一步提出可在AlGaN表面吸附氯離子層來構(gòu)建用于除氫的局域電場(chǎng)。
如圖1c所示,氯離子局域場(chǎng)引起的能帶彎曲可以驅(qū)動(dòng)H+離子擴(kuò)散/漂移至表面,并最終離開AlGaN。基于第一性原理的結(jié)果,我們自行設(shè)計(jì)搭建三電極系統(tǒng),采用氯離子電解液,在AlGaN外延片的表面上有效吸聚氯離子層(圖1d)。
結(jié)果表明,對(duì)于p型AlGaN外延片,經(jīng)過氯離子局域場(chǎng)處理后,氫雜質(zhì)濃度降低了52.5%(圖1e)。隨著氫雜質(zhì)的減少,更多的Mg受主可被有效激活。
因此,p型AlGaN的電流得到極大提升,并且電阻率明顯降低(圖1f)。我們進(jìn)一步將電場(chǎng)除氫技術(shù)應(yīng)用于深紫外LED外延片(圖1g)。
如圖1h所示,經(jīng)過電場(chǎng)處理之后,深紫外LED的發(fā)光功率明顯提高,增強(qiáng)幅度最大可達(dá)32%。此種新型電場(chǎng)激活技術(shù)也可以應(yīng)用于其他氮化物、甚至其他材料的半導(dǎo)體體系,除去不利的鈍化點(diǎn)缺陷,并提高器件的光電性能。
蔡端俊,一直是氮化物半導(dǎo)體,生物物理學(xué),納米科學(xué)和納米技術(shù)的先驅(qū),他提出了用于深紫外LED的AlGaN新型異質(zhì)結(jié)構(gòu),基于AES的非接觸電表征方法,螢火蟲生色團(tuán)的生物異質(zhì)結(jié)的原始概念,超細(xì)和超長(zhǎng)Cu納米絲作為透明電極的合成以及單層的超大尺寸增長(zhǎng) h-BN膜。他是美國物理學(xué)會(huì),美國生物物理學(xué)會(huì),美國化學(xué)學(xué)會(huì)和P.R.C.半導(dǎo)體學(xué)會(huì)的成員。他在同行評(píng)審的期刊和國際會(huì)議上發(fā)表了80多篇論文,并且是40多項(xiàng)專利的主要發(fā)明者。
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