一個處理物理能源:是信息論在電池電控的應(yīng)用,用信息控智能量,四兩撥千斤的功率半導(dǎo)體,用少量信息處理控制巨量電流,極大的提高能效和控制精度,其背后需要一系列的半導(dǎo)體(SiC、GaN)來實現(xiàn)半導(dǎo)體對電能的有效控制。
一個處理數(shù)字信號:是控制論在無人駕駛的應(yīng)用,其本質(zhì)是多反應(yīng)+少預(yù)測的特斯拉FSD,其L5 ADAS的算力將高于智能手機幾個數(shù)量級,用CPU、GPU、FPGA、射頻、存儲芯片組成龐大異構(gòu)算力實時運算將電車喚醒,車載含硅量也將是數(shù)量級的提升。
投資建議:建議關(guān)注相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈標的:設(shè)備:北方華創(chuàng)(整套SiC工藝設(shè)備)、聞泰科技(安世半導(dǎo)體)、三安光電(三安集成)、斯達半導(dǎo)、長電科技(600584)、比亞迪電子。
1. 全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局,其中美國一家獨大。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的不斷升級,半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域成為了中美必爭之地,伴隨著華為再次被美制裁,高端裝備等領(lǐng)域的國產(chǎn)化勢在必行。此外,SiC材料和器件在軍工國防領(lǐng)域的重要作用,也越來越突出。SiC外延設(shè)備在推動產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程中,意義尤為重大。
2. 器件發(fā)展,材料先行,IDM模式將繼續(xù)成為行業(yè)主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料,但不會完全替代,因為數(shù)字芯片并不適合采用SiC對Si進行替代,因此SiC預(yù)計占整個半導(dǎo)體行業(yè)10%左右。SiC主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體上,因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。
3. 國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。先發(fā)優(yōu)勢是半導(dǎo)體行業(yè)的特點,Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢的重要性。相較于Si,國產(chǎn)廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多,因此國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商,完成國產(chǎn)替代。
風險提示:半導(dǎo)體周期持續(xù)下行,貿(mào)易摩擦拉長周期下行的時間;產(chǎn)品迭代速度較慢,國內(nèi)競爭者迅速成長;制造過程中核心設(shè)備和原材料遭到禁運,對生產(chǎn)造成不利影響。
以上為報告部分內(nèi)容,完整報告請查看《第三代半導(dǎo)體之SiC研究框架》