近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。

 

期間，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，寧波升譜光電股份有限公司，廣東晶科電子股份有限公司共同協(xié)辦的“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會(huì)上，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所吳林楓分享了基于自隔離鍵合技術(shù)的大功率倒裝芯片單片集成發(fā)光二極管的研究成果。LED發(fā)展呈現(xiàn)出增加發(fā)光面積、更高的驅(qū)動(dòng)電流和更高的功率、更高的光輸出功率的趨勢(shì)。大功率倒裝芯片整體集成LED，需要更高的驅(qū)動(dòng)電流和更高的功率等，也面臨著散熱與電絕緣沖突。鍵合要求高的對(duì)準(zhǔn)精度等挑戰(zhàn)。

結(jié)合具體的數(shù)據(jù)，研究提出了一種新穎的倒裝式led封裝方法，稱之為自對(duì)準(zhǔn)隔離“技術(shù)”，該技術(shù)可以提高器件的散熱能力，保證芯片的導(dǎo)電性，有效地優(yōu)化封裝的對(duì)準(zhǔn)精度。

 

報(bào)告指出，當(dāng)大功率倒裝芯片MI-LED的輸入功率為19.87W時(shí)，最高溫度為45.6℃，最低溫度為39.7℃，最大溫差為5.9℃，說明自隔離粘接技術(shù)能夠解決散熱與隔熱之間的矛盾。今后研究將對(duì)器件進(jìn)行優(yōu)化和封裝，然后對(duì)器件的光學(xué)特性進(jìn)行分析。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）