近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)上，深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)的研究成果。
“雙極型退化”是目前影響4H-SiC雙極型器件穩(wěn)定工作的重要問題。報(bào)告介紹“雙極型退化”的起源及相應(yīng)的解決方案。以萬伏級(jí)的超高壓PiN二極管為例，詳細(xì)介紹在襯底與外延層之間如何設(shè)計(jì)合適的“復(fù)合提高層”來抑制雙極型退化。研究了器件工作電流密度和“復(fù)合提高層”少子壽命對(duì)設(shè)計(jì)“復(fù)合提高層”的影響。結(jié)果表明，在一定的工作電流密度下，“復(fù)合提高層”少子壽命越短，所需“復(fù)合提高層”厚度越薄。并通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果，比較了N摻雜、N+B摻雜和N+V摻雜的“復(fù)合提高層”對(duì)PiN二極管“雙極型退化”的影響。
楊安麗歷任日本電力中央研究所（CRIEPI）特任研究員，日本國(guó)立材料研究機(jī)構(gòu)（NIMS）SPring-8 BL15XU博士后研究員。主要研究方向圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)表征及應(yīng)用。曾參與了中國(guó)國(guó)家863項(xiàng)目、日本科學(xué)振興機(jī)構(gòu)（JSTA:基于元素戰(zhàn)略的智能材料創(chuàng)新）及日本科學(xué)技術(shù)廳和日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO：下一代電力電子/SiC功率器件)的研究項(xiàng)目，在APL、JAP、PRB等國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域著名期刊共發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文40余篇，其中第一作者論文16篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利3項(xiàng)。日本國(guó)立材料研究機(jī)構(gòu)（NIMS）大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告一次，SiC領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)會(huì)議（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口頭報(bào)告2次，并被大會(huì)選為亮點(diǎn)。
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