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比亞迪明年有自己的SiC產(chǎn)線,車規(guī)級IGBT已到5代

日期:2020-12-24 閱讀:504
核心提示:據(jù)媒體報道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開發(fā)當(dāng)
 據(jù)媒體報道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計到明年有自己的產(chǎn)線。
 
據(jù)了解,比亞迪半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心,擁有IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),包括芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝測試以及整車應(yīng)用。目前,比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型漢EV四驅(qū)版正是國內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計劃,預(yù)計到 2023 年,其旗下電動車將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體對 IGBT的全面替代,整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。
 
比亞迪半導(dǎo)體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關(guān)。9月17日,比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專訪時回應(yīng)稱,目前,SiC的產(chǎn)能仍在爬坡,而漢EV后驅(qū)版的預(yù)定量非常多,遠(yuǎn)超企業(yè)預(yù)期,因此造成供貨趕不上需求的問題。但他也表示,從第四季度開始,SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅(qū)版的銷售需求。”
 
比亞迪半導(dǎo)體之外,近期,國內(nèi)其他半導(dǎo)體龍頭布局SiC的消息不斷。
 
此前12月17日,斯達(dá)半導(dǎo)公告擬計劃總投資2.29億元,投資建設(shè)年產(chǎn)8萬顆車規(guī)級全SIC功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心;同月,三安集成宣布已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。
 
另外,應(yīng)用端,電動車龍頭公司也已經(jīng)走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24個SIC-MOSFET為功率模塊的逆變器。
 
資料顯示,目前SiC最大的應(yīng)用市場在新能源汽車的功率控制單元(PCU)、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。而根據(jù)Omdia預(yù)計,2020年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為431億美元,至2024年將突破500億美元。
 
安信證券12月21日發(fā)布研報稱,新能源汽車及光伏加速普及,SiC迎來大發(fā)展機(jī)遇,SiC基功率器件有望取代Si基,超400億美元市場待開拓。中泰證券也在12月17日發(fā)布研報,預(yù)計2021年汽車領(lǐng)域SIC有望進(jìn)入放量元年。
 
具體到投資機(jī)會,中泰證券表示,產(chǎn)業(yè)鏈以歐美日為主,國產(chǎn)替代空間較大。國企業(yè)在襯底、外延和器件方面均有所布局,但是體量均較小。國內(nèi)SIC襯底材料廠商中,已上市公司包括:露笑科技、天科合達(dá),器件商斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、揚(yáng)杰科技等。
 
安信證券則稱,國內(nèi)基本已實(shí)現(xiàn)SiC襯底、外延、器件設(shè)計、制造、封測、生產(chǎn)設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,設(shè)備、材料廠商具備先發(fā)優(yōu)勢,有望率先受益。該機(jī)構(gòu)重點(diǎn)推薦晶盛機(jī)電、建議關(guān)注華峰測控、天通股份。
 
來源:科創(chuàng)板日報
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