其實，第三代半導體在2020年就已“展現(xiàn)鋒芒”，在近期各省市通過的十四五規(guī)劃中，浙江、遼寧、寧波等多地區(qū)明確加碼第三代半導體產(chǎn)業(yè)。

 

回顧2020年，超14個第三代半導體項目及相關產(chǎn)業(yè)園簽約落地，總投資額超800億元，涉及7個省份9個地區(qū)。其中，三安光電、露笑科技、康佳3個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園分別在湖南長沙、安徽合肥、江西南昌簽約落地，總投資額超560億元。

 

僅從第三代半導體項目及相關產(chǎn)業(yè)園的簽約地區(qū)來看，主要分布在長三角地區(qū)，其中，上海、江蘇超3個項目落地；安徽超3個項目（包括產(chǎn)業(yè)園）落地。值得注意的是，山東中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群項目投資額高達111億元。

 

 

4月8日，在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行2020年重點招商引資項目簽約儀式上，中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群項目（彩虹集團LED）簽約落地。

 

項目總投資111億元，項目一期產(chǎn)業(yè)投資8億元，計劃3年內(nèi)完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群初步建設，完成深紫外LED生產(chǎn)線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產(chǎn)、加工、碳化硅外延生產(chǎn)線各2條，氮化鎵中試線1條。

 

項目二期投資51億元，完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國家級戰(zhàn)略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動，計劃2年內(nèi)完成6-8英寸碳化硅單晶擴產(chǎn)、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產(chǎn)線各1條。

 

項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續(xù)芯片生產(chǎn)全部轉(zhuǎn)移至中國。

 

 

2月21日，吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。該項目總投資37億元，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。

 

 

2020年9月，第31屆中國南京金秋經(jīng)貿(mào)洽談會上，百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。

 

該項目由南京百識電子科技有限公司建設，總投資30億元，擬用地80畝，建立第三代半導體外延片+器件專業(yè)代工，可以承接國內(nèi)外IDM與design house的委托制作訂單，串接國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，達到第三代半導體芯片國造的目標，產(chǎn)品主要應用于5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。

 

 

2020年6月19日，華通芯電第三代化合物半導體項目簽約落地上海。該項目總投資29億元，固定資產(chǎn)投資22.7億元，將通過第三方代建的模式，在金山購置土地并建設廠房和潔凈車間，項目分為兩階段實施。

 

其中，第一階段計劃投資6.5億元，建設月產(chǎn)7000片GaAs（砷化鎵）芯片生產(chǎn)項目；第二階段計劃投資22.5億元，建設月產(chǎn)3000片GaN（氮化鎵）射頻芯片和20000片功率半導體芯片生產(chǎn)項目，其產(chǎn)品將廣泛用于5G基站、雷達、微波等工業(yè)領域。

 

據(jù)當時上觀新聞報道，目前，該項目已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)線需要的關鍵設備也已準備就緒。

 

 

2020年11月6日，上海芯泳半導體有限公司第三代氮化鎵材料及5G射頻器件項目簽約落地上海，該項目總投資額約20億元，由中科院趙連城院士和董紹明院士領銜，全力突破我國寬禁帶材料和5G射頻器件“卡脖子”環(huán)節(jié)。

 

除了項目之外，三安光電、露笑科技、康佳三大百億元產(chǎn)業(yè)園也于2020年簽約落地。截至目前，三大產(chǎn)業(yè)園皆已開工。此前，集微網(wǎng)也以《國內(nèi)企業(yè)紛紛瞄準第三代半導體，百億元產(chǎn)業(yè)園項目正順勢起航》為題，介紹了三個產(chǎn)業(yè)園。

 

 

2020年6月17日，三安光電發(fā)布公告稱，公司擬在長沙成立子公司投資建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目，投資總額為160億元。

 

公告顯示，三安光電與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會于 2020 年6月15日簽署《項目投資建設合同》。

 

同年7月20日，長沙三安第三代半導體項目在長沙高新區(qū)開工，項目總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。

 

 

2020年8月9日，露笑科技發(fā)布關于與合肥市長豐縣簽署建設第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園戰(zhàn)略合作框架協(xié)議的公告。

 

公告顯示，露笑科技于2020年8月8日與合肥市長豐縣人民政府在合肥市政府簽署《合肥市長豐縣與露笑科技股份有限公司共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園的戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

 

11月28日，露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目開工。該項目規(guī)劃總投資100億元，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。

 

 

2020年11月11日，江西南昌經(jīng)開區(qū)與康佳集團股份有限公司簽約儀式在南昌舉行，江西康佳半導體高科技產(chǎn)業(yè)園暨第三代化合物半導體項目落戶南昌經(jīng)開區(qū)，總投資300億元。

 

據(jù)江西衛(wèi)視11月22日報道，康佳（江西）半導體高科技產(chǎn)業(yè)園項目近日在南昌經(jīng)開區(qū)開工建設，預計2021年底前投產(chǎn)。

 

該項目分兩期建設，一期投資50億元，主要建設第三代化合物半導體項目及其相關配套產(chǎn)業(yè)，同步建設半導體研究院，將打造成集研發(fā)、設計、制造為一體的高科技項目。二期項目以半導體材料類、半導體應用類項目為主，以及半導體封測類、芯片設計類項目，引進一批符合產(chǎn)業(yè)園定位的半導體及相關產(chǎn)業(yè)鏈項目。