二十一世紀以來，第三代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角，并被寫入十四五規(guī)劃中，引起了廣泛的關(guān)注與重視，也為功率半導(dǎo)體市場帶來新的機遇。而華微電子作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，率行業(yè)之先布局第三代半導(dǎo)體市場，搶占先機。

 

在過去的兩年，受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等因素，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，涌現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料投資熱潮。

 

不過，第三代半導(dǎo)體并非是在第一代、第二代半導(dǎo)體的技術(shù)上進行一種簡單的迭代，而是全新的技術(shù)架構(gòu)。這要求真正有能力、有自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)能夠沉淀下來去做這件事。

 

在過去的半個多世紀中，華微電子持續(xù)突破諸多關(guān)鍵技術(shù)，加速推動功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代，助力我國工業(yè)強基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展，成為具有國際競爭力的功率半導(dǎo)體企業(yè)。

 

作為首家國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域上市公司，華微電子堅持生產(chǎn)一代、儲備一代、研發(fā)一代的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略，早已積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造。

 

在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通、國防軍備等下游應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。因此，業(yè)界普遍認為，國內(nèi)企業(yè)積極準備，主動布局，是一個順應(yīng)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)潮流的事情。及早布局，可以避免目前以硅為代表的二代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的被動局面。

 

目前SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示，下一步將發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢，集中精力研究三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)，完善相關(guān)生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力，為消費類、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供優(yōu)異的三代半導(dǎo)體電力電子器件。

 

華微電子介紹，新型電力電子器件基地項目建成以后能夠有力地補充公司的產(chǎn)品種類和提升產(chǎn)品性能。二期項目規(guī)劃的產(chǎn)品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結(jié)MOSFET產(chǎn)品，主要應(yīng)用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業(yè)控制、充電樁和汽車電子，在這些領(lǐng)域華微電子產(chǎn)品技術(shù)儲備完善，建成后可以快速發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢，快速提升產(chǎn)品線的盈利能力。在當(dāng)前國產(chǎn)化替代趨勢的環(huán)境下，有望快速突破高端領(lǐng)域。

 

未來，第三代半導(dǎo)體將與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補發(fā)展，對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生新的經(jīng)濟增長點發(fā)揮重要作用。