根據(jù)各階段原材料不同劃分，半導體發(fā)展至今經(jīng)歷了三代。第三代半導體是指原材料以SiC和GaN為主的半導體，據(jù)應用場景不同，第三代半導體市場可分為光電子器件、電力電子器件和微波射頻器件。另外，按照原材料是否為化合物，半導體又可分為單質(zhì)半導體和化合物半導體。

 

 

中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境良好



 

中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游主要市場參與者為襯底和外延供應商、設計工具提供商和代工廠，產(chǎn)業(yè)鏈中游參與主體為生產(chǎn)商，下游端則主要為各應用場景。第三代半導體產(chǎn)業(yè)價值節(jié)點主要為外延、芯片制造和光伏應用?，F(xiàn)階段中國玩家多集中于襯底、外延和部分IDM，而價值量較高的設計和制造節(jié)點仍為國際玩家所主導。

 

中國第三代半導體行業(yè)上游供應商的議價能力較高，尤其代工廠生產(chǎn)商具有較強的議價能力?，F(xiàn)階段中國第三代半導體中游主要市場為三菱電子、英飛凌、科銳等國際玩家所主導，士蘭微等中國本土廠商則通過自主研發(fā)積極發(fā)力第三代半導體利基市場。中游第三代半導體廠商關鍵成功因素在于關注技術、產(chǎn)品質(zhì)量和政策關系，加大此三方面的投入可以使第三代半導體廠商迅速獲得比較優(yōu)勢。中國第三代半導體市場下游各應用場景廠商的議價能力適中，其中新能源汽車廠商議價能力和消費電子產(chǎn)品廠商議價能力最強。

中國MCU市場規(guī)模增長潛力較大

 

中國第三代半導體市場規(guī)模增長潛力較大，預計到2024年中國第三代半導體市場規(guī)模將達到約61.3億元人民幣，復合增長率將達約38.2%。

 

隨5G正式商用的普及程度加深，基站建設將加速推進，微波射頻市場規(guī)模將實現(xiàn)爆發(fā)式上漲。2019年GaN半導體器件市場規(guī)模僅為6.3億元，2024年該數(shù)字將上漲為42.7億元，市場份額從50.6%上升至69.7%。

 

新能源汽車頭部玩家已將第三代半導體功率器件用于商業(yè)實踐，但因價格較高尚未形成規(guī)模，但隨芯片廠商加速技術完善和量產(chǎn)，未來降價可期。2019年SiC、GaN車用半導體器件市場規(guī)模僅為7.6億元，2024年該數(shù)字將上漲為18.6億元，市場份額將穩(wěn)定在30%左右。

 

5G基站的建設將直接創(chuàng)造第三代半導體剛需，且5G技術的成熟和商用將催生較大汽車和工業(yè)用第三代半導體產(chǎn)品需求。

 

工業(yè)用半導體升級需求：5G將直接帶動工業(yè)自動化和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和普及，新一輪的設備升級和換新將對功率半導體提出更高要求。

 

汽車電子半導體升級需求：SiC半導體逆變器在性能及能耗方面較硅基半導體更勝一籌，且可減少功率器件60%以上體積；GaN半導體電源芯片在充電效率和電力損失方面更具優(yōu)勢。

 

GaN半導體微波射頻芯片是5G基站實現(xiàn)高性能的最優(yōu)選擇和保障，能夠降低40%功耗，節(jié)約80%成本。

 

GaN半導體微波射頻芯片較傳統(tǒng)通信芯片更勝一籌。相比于第一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

 

使用GaN半導體將大幅縮減5G射頻系統(tǒng)功耗。在保持輻射功率的同時，鍺化硅基MIMO天線元件由1,024個減少至192個， 裸片面積由4,096平方毫米縮減為250平方毫米。

 

新能源汽車的持續(xù)放量將拉升第三代半導體需求。較傳統(tǒng)半導體功率器件，第三代半導體功率器件在性能、體積和成本方面優(yōu)勢明顯。功率MOSFET器件具有開關頻率最快、開關損益最小等性能優(yōu)點 。

 

第三代半導體功率器件是新能源汽車用半導體功率器件的首選。較傳統(tǒng)新能源用車用IGBT，功率MOSFET器件在功耗、體積及成方面具有明顯優(yōu)勢。

 

新能源汽車用第三代半導體市場潛力較大。2019年新能源汽車用第三代半導體需求為5.6億美元，2024該數(shù)字將增至19.1億美元。



 

國際廠商壟斷中國第三代半導體市場：中國第三代半導體市場CR4超過80%。

 

中國本土廠商第三代半導體業(yè)務追趕迅速：富滿電子、中車時代等中國本土頭部玩家通過自主研發(fā)已建成超過6條完整第三代半導體產(chǎn)品線。

 

 

較傳統(tǒng)半導體功率器件，第三代半導體功率器件具有明顯的高價值量，但價格仍偏高。

 

650V：最高工作溫度38度下，耐壓650V的SiC MOSFET均價為4.2元/A，是Si基IGBT均價(0.35 元/A)的11.9倍；

 

1,200V：最高工作溫度38度下，耐壓1,200V的SiC MOSFET均價為7.1元/A，約是Si基IGBT均價(0.87 元/A)的8.1倍；

 

900V&1,700V：最高工作溫度38度下，耐壓900V和1,700V的SiC MOSFET均價分別3.8元/A和11.3元/A，分別為Si基IGBT均價的3.4倍和3.3倍。

 

第三代半導體利基市場將備受矚目

受新能源汽車電子的需求釋放及頭部新能源汽車廠商積極布局的雙輪驅動，中國第三代半導體汽車電子市場規(guī)模將快速增長。

 

SiC將直接作用于新能源汽車電池效率：從50kWh到46kWh，電池電力損耗最多可直接減少8%；SiC功率器件開關損耗節(jié)能優(yōu)勢突出，隨SiC應用比重提升，開關損耗最多可降低74%；對第三代半導體的可替代程度較低。目前市場中Si基半導體對第三代半導體產(chǎn)品的替代性較弱，甚至存在反替代關系，即Si基半導體的價格優(yōu)勢正在被第三代半導體的性能優(yōu)勢抵消。

 

第三代半導體的應用將降低整車成本：SiC逆變器能夠提升5-10%續(xù)航，節(jié)省400-800美元電池成本，可抵消新增200美元的SiC器件成本，實現(xiàn)至少200美元的單車成本下降 。

 

全SiC方案電動汽車有望在2021年開始量產(chǎn)：車載OBC和DC/DC，已經(jīng)開始采用SiC器件，將 PFC電路中二極管切換為SiC SBD，或者將OBC的DC/DC電路MOSFET管改為SiC MOSFET。