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總投資60億,富能功率半導(dǎo)體8英寸項目一期產(chǎn)品正式下線

日期:2021-01-28 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:333
核心提示:據(jù)濟南日報報道,1月27日,富能功率半導(dǎo)體8英寸項目一期實現(xiàn)產(chǎn)品下線,標(biāo)志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產(chǎn)階段,補齊了山
 據(jù)濟南日報報道,1月27日,富能功率半導(dǎo)體8英寸項目一期實現(xiàn)產(chǎn)品下線,標(biāo)志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產(chǎn)階段,補齊了山東省集成電路產(chǎn)業(yè)的短板。
圖片來源:視頻截圖
 
富能功率半導(dǎo)體項目規(guī)劃總占地面積630畝,共分三期建設(shè),據(jù)了解,富能功率半導(dǎo)體項目生產(chǎn)的各類晶體管產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于消費電子、新能源裝備和汽車電子等領(lǐng)域。根據(jù)此前的資料,富能功率半導(dǎo)體項目是濟南市2020年重點項目名單,項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬片的12英寸廠,第一期投入60億元。
 
本次投產(chǎn)的8英寸廠為項目一期,2019年開工建設(shè),2020年12月底首條產(chǎn)線建設(shè)完畢。項目第一期一階段投產(chǎn)后將有望達到年產(chǎn)36萬片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬片6寸碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產(chǎn)能力。
 
濟南日報指出,這將顯著提升濟南芯片制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展實力,為“工業(yè)強市”戰(zhàn)略注入強勁動力的同時,還將打破國外壟斷,實現(xiàn)國產(chǎn)芯片的有效替代。
 
據(jù)了解,濟南富能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月,是一家致力于深耕半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IDM公司,專注半導(dǎo)體能源器件、芯片及模組產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)。濟南網(wǎng)2020年6月曾報道,未來五年,富能將從高端硅和碳化硅等產(chǎn)品切入市場,有效實現(xiàn)進口替代,五年后年營業(yè)額達100億人民幣,力爭在10年內(nèi)達到國際一流半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)水平。
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